时间：2025/5/8 14:04:05
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DMN3028L是一款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）。该器件采用DFN1610-4封装，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于便携式设备、负载开关、电机驱动以及电池供电系统等应用。其小型化封装使其在空间受限的设计中具有优势。
DMN3028L的工作电压范围较宽，能够承受高达28V的漏源极电压（VDS），同时具备出色的电气性能，确保高效能转换和低功耗表现。
漏源极电压（VDS）：28V
连续漏极电流（ID）：3.9A
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：55mΩ（典型值，在VGS=4.5V时）
总功耗：0.47W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：DFN1610-4
DMN3028L的主要特性包括：
1. 超低导通电阻（RDS(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 小型化的DFN1610-4封装设计，节省电路板空间。
3. 支持高频率操作，适合高速开关应用。
4. 高度可靠的静电放电保护能力，增强器件稳定性。
5. 宽工作温度范围，适应多种环境条件。
6. 符合RoHS标准，环保无铅工艺生产。
DMN3028L广泛应用于以下领域：
1. 电源管理：如DC-DC转换器、负载开关。
2. 电池供电产品：例如智能手机、平板电脑、便携式医疗设备。
3. 消费类电子产品中的小型电机控制。
4. 信号切换和保护电路。
5. 其他需要高效能功率转换和紧凑型解决方案的应用场景。
DMN3027L
