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CSD86330Q3D 发布时间 时间:2023/7/25 11:38:05 查看 阅读:489

产品概述

产品型号

CSD86330Q3D

描述

场效应管2N-CH 25V 20A 8SON

分类

分立半导体产品,晶体管-FET,MOSFET-阵列

制造商

德州仪器

系列

NexFET?

零件状态

活性

工作温度

-55°C?150°C(TJ)

包装/箱

8电源LDFN

供应商设备包装

8-LSON(3.3x3.3)

基本零件号

CSD86330

规格参数

制造商包装说明

SON-8

符合欧盟RoHS

状态

活性

接口IC类型

基于缓冲或逆变器的MOSFET驱动器

高端驱动器

没有

输入特性

标准

JESD-30代码

S-PDSO-N8

JESD-609代码

e3

功能数量

1个

端子数

8

最低工作温度

-55℃

最高工作温度

150℃

包装主体材料

塑料/环氧树脂

包装代码

HTSON

包装形状

广场

包装形式

小轮廓,散热片/塞子,薄型

峰值回流温度(℃)

260

资格状态

不合格

座高

1.5毫米

电源电压标称

12.0伏

最大电源电压

22.0伏

功率-最大

6瓦

场效应管类型

2个N通道(半桥)

场效应管功能

逻辑电平门

安装类型

表面贴装

温度等级

军事

终端完成

磨砂锡(Sn)

终端表格

无铅

端子间距

0.65毫米

终端位置

时间@峰值回流温度-最大(秒)

未标明

长度

3.3毫米

宽度

3.3毫米

环境与出口分类

RoHS状态

符合ROHS3

水分敏感性水平(MSL)

1(无限制)

特点

  • 半桥电源块

  • 15 A时90%系统效率

  • 高达20 A的操作

  • 高频操作(高达1.5 MHz)

  • 高密度– SON 3.3 mm×3.3 mm尺寸

  • 针对5 V栅极驱动进行了优化

  • 低开关损耗

  • 超低电感封装

  • 符合RoHS

  • 无卤素

  • 无铅端子电镀

应用领域

  • 工业

  • 电源管理

  • 多相同步降压转换器

  • POL DC-DC转换器

  • IMVP,VRM和VRD应用程序

  • 同步降压转换器

  • 高频应用

  • 大电流,低占空比应用

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CSD86330Q3D

CSD86330Q3D参数

  • 产品培训模块NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件PowerStack? Packaging Technology Overview
  • 特色产品CSD86330Q3D NexFET? Power BlockCSD86330Q3D Power Block and TPS53219 Buck Controller
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列NexFET™
  • FET 型2 N 沟道(半桥)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.6 毫欧 @ 14A,8V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs6.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds920pF @ 12.5V
  • 功率 - 最大6W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-LDFN
  • 供应商设备封装8-SON(3.3x3.3)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称296-28216-6