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CSD85312Q3E 发布时间 时间:2025/5/6 21:08:23 查看 阅读:23

CSD85312Q3E是一款来自德州仪器(TI)的高性能氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET),采用热增强型小尺寸QFN封装。该器件将高效的GaN开关与优化的栅极驱动技术结合在一起,旨在提供更高的功率密度和效率。其适用于高频开关应用场合,例如DC-DC转换器、电机驱动、太阳能逆变器等。这款芯片通过减少寄生电感和优化布局设计,能够实现快速开关和低损耗性能。
  该芯片内置保护功能,确保在异常条件下稳定运行。此外,由于其高频率工作能力,可以显著减小无源元件体积,从而降低整体系统成本。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:41A
  导通电阻:7.5mΩ
  栅极电荷:19nC
  开关频率:高达数MHz
  封装形式:QFN 8x8mm
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

CSD85312Q3E的主要特点包括:
  1. 高效GaN技术:相比传统硅MOSFET,具备更低的导通电阻和更少的能量损失。
  2. 快速开关性能:超低的栅极电荷和输出电荷支持高频操作,提高功率转换效率。
  3. 热性能优异:QFN封装提供出色的散热能力,适合高功率应用场景。
  4. 减少外围元件数量:得益于其高频特性,可使用更小尺寸的磁性元件和电容器,从而节省PCB空间。
  5. 内置保护功能:集成过流保护和短路保护机制,提高了系统的可靠性。
  6. 易于驱动:兼容标准栅极驱动信号,简化了电路设计流程。

应用

CSD85312Q3E适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):如AC-DC适配器和USB-PD充电器。
  2. DC-DC转换器:用于服务器、通信设备以及电动车中的高效能量转换。
  3. 电机驱动:特别是需要快速动态响应的应用场景。
  4. 太阳能微型逆变器:提升光伏系统的转换效率。
  5. 汽车电子:如车载充电器(OBC)、DC-DC变换器以及其他高压应用。
  6. 工业自动化:为各类工业设备提供可靠的功率控制解决方案。

替代型号

CSD85311Q3E, CSD85321Q3E

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CSD85312Q3E参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥9.70000剪切带(CT)2,500 : ¥4.41220卷带(TR)
  • 系列NexFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N 沟道(双)共源
  • FET 功能逻辑电平栅极,5V 驱动
  • 漏源电压(Vdss)20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)39A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)12.4 毫欧 @ 10A,8V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)15.2nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2390pF @ 10V
  • 功率 - 最大值2.5W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装8-VSON(3.3x3.3)