时间：2025/7/28 10:25:08
阅读：7
CSD75301W1015 是一款由 Texas Instruments（德州仪器）生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效能功率转换应用设计。该器件采用先进的半导体技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。它广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动器以及负载开关等场景。该器件采用小型化封装，便于在高密度 PCB 设计中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流：30 A
最大漏源电压：20 V
导通电阻（Rds(on)）：5.8 mΩ @ Vgs = 4.5 V
栅极电荷：16 nC
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：VQFN
功率耗散：3.8 W
CSD75301W1015 的主要特性包括低导通电阻，使其在高电流应用中具有较低的功率损耗；高开关频率能力，适用于高频功率转换器；良好的热管理性能，得益于其高效的散热设计和小型封装；同时，该器件具有较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗，提高整体效率。此外，它具备良好的可靠性和稳定性，适合在严苛的工作环境中使用。
该 MOSFET 还具有较低的导通阈值电压，能够在较低的驱动电压下实现完全导通，适用于低电压系统设计。其 VQFN 封装形式不仅节省空间，还提升了 PCB 的布局灵活性，使得设计更加紧凑。这些特性共同使得 CSD75301W1015 成为高性能电源管理应用的理想选择。
CSD75301W1015 广泛应用于各类电力电子设备中，如 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制器以及负载开关电路。在服务器电源、通信设备电源、便携式电子设备以及工业自动化系统中，该器件都能提供高效、稳定的功率控制解决方案。其高电流能力和低导通电阻也使其成为高性能电源管理模块的首选器件之一。
Si7490DP, IRF7492, CSD75302W1015
