时间：2025/4/30 10:09:30
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NGTB25N120FL2WAG 是一款由 Nexperia（前身为 NXP 的标准产品业务部）生产的高性能 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 Trench 技术制造，适用于高效率功率转换应用。其设计能够承受高达 1200V 的漏源电压，并提供低导通电阻以降低功耗。
NGTB25N120FL2WAG 适合用于工业、汽车和消费电子领域中的开关电源、逆变器、电机驱动和其他需要高效功率管理的场景。
漏源电压(Vds)：1200V
连续漏电流(Id)：25A
导通电阻(Rds(on))：90mΩ
栅极电荷(Qg)：80nC
输入电容(Ciss)：3500pF
反向恢复时间(trr)：75ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
NGTB25N120FL2WAG 具有以下主要特性：
1. 高击穿电压 (1200V)，适用于高压应用场景。
2. 极低的导通电阻 (90mΩ)，有助于减少导通损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能，得益于低栅极电荷 (80nC) 和短反向恢复时间 (75ns)，能够实现高频运行。
4. 强大的雪崩能力和 robust 性能，可确保在极端条件下可靠工作。
5. 宽工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，使其非常适合恶劣环境下的应用。
6. 符合 AEC-Q101 标准，满足汽车级可靠性要求。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)，如 AC-DC 转换器。
2. 太阳能逆变器及 UPS 系统。
3. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的牵引逆变器。
4. 工业电机驱动和变频器。
5. 高压 DC-DC 转换器。
6. PFC（功率因数校正）电路。
NTB25N120L2WAG, IRFP460, STW92N120K5
