时间：2025/4/27 16:04:28
阅读：6
CSD68832L是德州仪器（TI）推出的一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率级器件，专为高频、高效率的应用场景设计。该产品结合了GaN FET和驱动器，优化了开关性能和系统集成度，适合用于数据中心电源、工业电源以及电信电源等高功率密度场合。
这款芯片采用了先进的半桥配置，内部集成了两个GaN FET，分别作为高侧和低侧开关，并通过自举电路实现高侧驱动。由于其超低的导通电阻和极快的开关速度，CSD68832L能够显著降低开关损耗和传导损耗，从而提升整体系统的能效。
导通电阻（Rds(on)）：7.5mΩ@25°C
工作电压范围：0V~60V
最大电流：40A
开关频率：高达1MHz
栅极驱动电压：5.0V/0V
封装形式：QFN-10（6mm x 8mm）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
CSD68832L具备以下显著特性：
1. 高效的GaN技术：相比传统硅基MOSFET，CSD68832L具有更低的导通电阻和更少的寄生电感，可实现更高的效率。
2. 快速开关能力：支持高达1MHz的开关频率，满足高频应用需求，同时减小磁性元件体积，提升功率密度。
3. 内置驱动器：集成的驱动器减少了外部元件数量，简化了PCB布局并降低了设计复杂度。
4. 强大的散热性能：得益于优化的封装设计，CSD68832L在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。
5. 自保护功能：内置过流保护、短路保护和过温保护，确保系统运行更加可靠。
CSD68832L适用于多种高功率密度的应用领域：
1. 数据中心服务器电源：
- 提供高效的DC/DC转换解决方案。
2. 工业设备：
- 包括焊接机、UPS不间断电源等高功率应用场景。
3. 通信基础设施：
- 如基站电源、光网络单元（ONU）电源等。
4. 消费电子：
- 例如快速充电适配器中的同步整流或功率因数校正（PFC）电路。
5. 新能源汽车：
- 车载充电器（OBC）、DC/DC转换器等组件的理想选择。
CSD68832Q5D
