时间：2023/7/18 18:16:24
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产品型号 | CSD25401Q3 |
描述 | 场效应管P-CH 20V 60A 8-SON |
分类 | 分立半导体产品，晶体管-FET，MOSFET-单 |
制造商 | 德州仪器 |
系列 | NexFET? |
打包 | 卷带式(TR) |
工作温度 | -55°C?150°C(TJ) |
供应商设备包装 | 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) |
包装/箱 | 8电源TDFN |
基本零件号 | CSD2540 |
CSD25401Q3
制造商包装说明 | SON-8 |
符合欧盟RoHS | 是 |
符合中国RoHS | 是 |
组态 | 单头内置二极管 |
最大漏极电流(Abs)(ID) | 60.0安 |
最大漏极电流(ID) | 14.0安 |
最大电阻下的漏源 | 0.0182欧姆 |
DS击穿电压-最小值 | 20.0伏 |
场效应管技术 | 金属氧化物半导体 |
JESD-30代码 | R-PDSO-N5 |
JESD-609代码 | e3 |
元素数 | 1.0 |
端子数 | 5 |
操作模式 | 增强模式 |
最高工作温度 | 150℃ |
包装主体材料 | 塑料/环氧树脂 |
包装形状 | 长方形 |
包装形式 | 小轮廓 |
峰值回流温度(℃) | 260 |
极性/通道类型 | P通道 |
最大功率耗散(Abs) | 2.8瓦 |
最大脉冲漏极电流(IDM) | 82.0安 |
子类别 | 其他晶体管 |
安装类型 | 表面贴装 |
终端完成 | 磨砂锡(Sn) |
终端表格 | 无铅 |
终端位置 | 双 |
晶体管应用 | 交换 |
晶体管元件材料 | 硅 |
附加功能 | 雪崩等级 |
RoHS状态 | 符合ROHS3 |
水分敏感性水平(MSL) | 1(无限制) |
超低Qg和Qgd
占地面积小
薄型高度0.65mm
无铅
符合RoHS
无卤素
能源管理
CSD25401Q3封装
CSD25401Q3外壳封装
