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CSD25401Q3 发布时间 时间:2023/7/18 18:16:24 查看 阅读:243

产品概述

产品型号

CSD25401Q3

描述

场效应管P-CH 20V 60A 8-SON

分类

分立半导体产品,晶体管-FET,MOSFET-单

制造商

德州仪器

系列

NexFET?

打包

卷带式(TR)

工作温度

-55°C?150°C(TJ)

供应商设备包装

8-VSON-CLIP(3.3x3.3)

包装/箱

8电源TDFN

基本零件号

CSD2540

产品图片

CSD25401Q3

CSD25401Q3

规格参数

制造商包装说明

SON-8

符合欧盟RoHS

符合中国RoHS

组态

单头内置二极管

最大漏极电流(Abs)(ID)

60.0安

最大漏极电流(ID)

14.0安

最大电阻下的漏源

0.0182欧姆

DS击穿电压-最小值

20.0伏

场效应管技术

金属氧化物半导体

JESD-30代码

R-PDSO-N5

JESD-609代码

e3

元素数

1.0

端子数

5

操作模式

增强模式

最高工作温度

150℃

包装主体材料

塑料/环氧树脂

包装形状

长方形

包装形式

小轮廓

峰值回流温度(℃)

260

极性/通道类型

P通道

最大功率耗散(Abs)

2.8瓦

最大脉冲漏极电流(IDM)

82.0安

子类别

其他晶体管

安装类型

表面贴装

终端完成

磨砂锡(Sn)

终端表格

无铅

终端位置

晶体管应用

交换

晶体管元件材料

附加功能

雪崩等级

环境与出口分类

RoHS状态

符合ROHS3

水分敏感性水平(MSL)

1(无限制)

特点

  • 超低Qg和Qgd

  • 占地面积小

  • 薄型高度0.65mm

  • 无铅

  • 符合RoHS

  • 无卤素

应用领域

  • 能源管理

引脚图

封装

CSD25401Q3封装

CSD25401Q3封装

CSD25401Q3外壳封装

CSD25401Q3外壳封装

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CSD25401Q3

CSD25401Q3产品

CSD25401Q3参数

  • 产品培训模块NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列NexFET™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11.7 毫欧 @ 10A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12.3nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1400pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-TDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-SON
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称296-24260-6