时间：2025/5/7 12:46:38
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PVG5H202C03R00 是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的应用场合。该器件采用先进的制程技术，能够提供卓越的开关性能和较低的功耗，非常适合于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等应用领域。
这款芯片属于 N 沤道增强型 MOSFET，其设计优化了 RDS(on)（导通电阻）与栅极电荷之间的平衡，从而实现更高的效率和更小的热损耗。
型号：PVG5H202C03R00
类型：N-Channel MOSFET
漏源电压 (Vds)：60V
栅源电压 (Vgs)：±20V
连续漏电流 (Id)：147A
导通电阻 (Rds(on))：2.8mΩ (典型值，@Vgs=10V)
总栅极电荷 (Qg)：128nC
输入电容 (Ciss)：4790pF
输出电容 (Coss)：111pF
反向恢复时间 (trr)：28ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
PVG5H202C03R00 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在高电流应用中显著降低功耗。
2. 高额定电流能力 (Id)，支持大功率应用。
3. 快速开关速度，有效减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性，在高温环境下也能保持可靠运行。
5. 小型化封装，便于节省PCB空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适用于各种工业和消费类电子产品。
7. 提供强大的短路保护功能，确保设备在异常情况下的安全性。
8. 改进的雪崩能量耐受能力，提高系统可靠性。
PVG5H202C03R00 适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器，用于电压调节和功率传输。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
5. 新能源汽车和混合动力汽车中的电池管理系统。
6. 大功率 LED 驱动器，用于照明解决方案。
7. 数据中心服务器电源和其他高性能计算设备中的功率管理模块。
8. 充电器及适配器中的功率级元件。
由于其优异的电气性能和可靠性，PVG5H202C03R00 成为许多高要求应用的理想选择。
PVG5H202C03R01, PVG5H202C03R02, IRF540N
