时间：2025/8/1 23:32:51
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CSD30N30 是一款由华润微电子（CRMicro）推出的高性能N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用了先进的沟槽栅技术和优化的硅片结构，提供了较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流承载能力，适用于各类开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：300V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：30A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.115Ω @ Vgs=10V
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）等
CSD30N30具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高整体系统的效率。其次，该器件具有较高的漏源击穿电压（300V），能够承受较大的电压应力，适用于高压工作环境。
此外，CSD30N30采用了先进的沟槽栅结构，提升了开关性能，降低了开关损耗，并具备良好的热稳定性。其较高的栅极阈值电压（通常为2~4V）增强了抗干扰能力，减少了误触发的可能性。
该MOSFET还具备良好的短路耐受能力和雪崩能量承受能力，提高了器件在极端工作条件下的可靠性。其封装形式（如TO-220）具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
在可靠性方面，CSD30N30通过了严格的工业级测试，符合RoHS环保标准，适用于工业、通信、消费类电子等多种应用场景。
CSD30N30主要应用于各类功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机驱动电路、逆变器、LED驱动电源、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统等。其高电压和大电流特性也使其适用于光伏逆变器和新能源汽车充电模块等新兴领域。
SiHF30N30E、IRF30N30D、FDP30N30、STF30N30
