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R6004ENX 发布时间 时间:2025/5/10 16:41:20 查看 阅读:10

R6004ENX是一款高性能的同步降压DC-DC转换器,适用于需要高效能和小尺寸解决方案的应用场合。该芯片具有高效率、低功耗和良好的负载瞬态响应特性。其内置的MOSFET能够提供高达4A的持续输出电流,并支持从2.7V到5.5V的宽输入电压范围。这使得它非常适合便携式电子设备、通信设备以及其他需要稳定电源供应的应用场景。

参数

输入电压范围:2.7V - 5.5V
  输出电压范围:0.8V - VIN
  最大输出电流:4A
  开关频率:2MHz
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:WLCSP-16(1.6mm x 2.0mm)
  待机功耗:1uA(典型值)
  效率:高达95%(典型值)

特性

R6004ENX采用恒定导通时间控制模式,能够在全负载范围内保持快速的动态响应。同时,它具备完善的保护功能,包括过流保护、短路保护和过温关断等,确保系统在异常情况下的安全性。
  该芯片还支持可编程软启动功能,可以有效降低上电时的浪涌电流。此外,轻载条件下会自动进入省电模式,从而进一步提高整体效率。
  R6004ENX的小型化封装使其非常适合空间受限的设计,而其高效的性能则有助于减少散热需求并延长电池使用寿命。

应用

这款芯片广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、物联网终端以及各种便携式电子产品中,作为核心电源管理单元为处理器、存储器和其他外围电路供电。
  此外,R6004ENX也可以用于汽车电子系统的辅助电源设计,例如信息娱乐系统或ADAS相关模块中的电源转换部分。

替代型号

R6004DNX
  R6004DAX
  R6004BNX

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R6004ENX参数

  • 现有数量111现货
  • 价格1 : ¥13.04000散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)980 毫欧 @ 1.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)15 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)250 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)40W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220FM
  • 封装/外壳TO-220-3 整包