时间：2025/5/6 20:51:57
阅读：13
CSD25404Q3是来自TI（德州仪器）的一款N通道增强型硅 carbide (SiC) MOSFET。它采用先进的SiC技术，具备出色的开关特性和耐压能力，适用于高效率和高功率密度的应用场景。
该器件在高温、高频和高压环境下表现出色，适合用于工业电源、太阳能逆变器、电机驱动和其他需要高效能量转换的系统中。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：4A
栅极阈值电压：2.8V~5.5V
导通电阻：160mΩ（典型值，在25°C下）
工作温度范围：-55°C~175°C
CSD25404Q3利用碳化硅材料的独特性能，提供低导通损耗和开关损耗，同时支持更高的开关频率。其具备以下主要特点：
1. 高效率：得益于低导通电阻和低开关损耗，能够显著减少能量损失。
2. 耐高温：能够在高达175°C的工作温度下稳定运行。
3. 快速开关能力：减少死区时间和开关损耗，提高整体效率。
4. 强大的浪涌电流能力：确保在异常条件下也能可靠工作。
5. 紧凑封装：TO-247封装有助于简化设计并节省空间。
这款MOSFET广泛应用于高效率电力电子系统中，包括但不限于：
1. 工业电源供应器
2. 太阳能微型逆变器
3. DC-DC转换器
4. 电动车车载充电器
5. 电机驱动和控制
6. UPS不间断电源
CSD25404Q3特别适合那些对效率和可靠性要求较高的应用场景。
CSD19531KCS, CSD25406Q5
