时间：2025/9/13 9:32:17
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FDS7088CN3是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）设计和生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效能电源管理应用而设计，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于开关电源、同步整流器、负载开关等多种高功率场景。FDS7088CN3采用先进的SuperFET技术，使其在高频开关条件下仍能保持较低的开关损耗和导通损耗，从而提高整体系统的效率。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大漏极电流（ID）：8.5A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：最大28mΩ（在VGS=10V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1V至2.5V
最大功耗（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C至175°C
FDS7088CN3的核心优势在于其低导通电阻和优化的封装设计，使其在高电流条件下具备优异的导通性能和热管理能力。该器件采用高性能SuperFET工艺，显著降低了开关损耗并提升了高频工作的稳定性。此外，其高耐压能力和较强的过载承受能力使其适用于各种苛刻的电源管理场合。封装形式为DFN3x3，提供更小的占板空间并增强散热性能，便于在高密度PCB布局中使用。FDS7088CN3还具备良好的抗静电能力，增强了器件在工业环境中的可靠性。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至20V之间稳定工作，适用于多种控制器驱动电路。其导通电阻随温度变化较小，确保在高温环境下仍能保持稳定的性能。此外，该器件的短路耐受能力较强，可在一定时间内承受异常工作条件，提升了系统的安全性。
FDS7088CN3广泛应用于各种电源管理模块，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、同步整流器和电源分配系统。由于其高效率和小尺寸封装，它也常用于便携式电子设备、服务器电源系统和工业自动化设备中的功率控制部分。此外，FDS7088CN3还可用于电机驱动电路、LED照明调光系统以及光伏逆变器中的功率开关环节。
FDS6680、FDS9435、FDMS7680、Si4410DY、IRF7413
