时间：2025/5/6 17:52:58
阅读：10
CSD18535KTT 是一款由德州仪器 (TI) 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。它采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于 DC-DC 转换器、负载点转换、电机驱动以及电信和工业应用中的其他高效能场景。
该器件采用了 3.3mm x 3.3mm 的小型封装技术，能够满足现代电子设计对空间节省的需求。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：47A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷：16nC
总电容：1450pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：QFN 3.3x3.3
CSD18535KTT 提供了出色的电气性能，特别是在低导通电阻方面表现卓越，从而降低了功耗并提高了效率。
它的高电流处理能力使其能够在各种负载条件下稳定运行，同时具备良好的热性能以支持高温环境下的可靠操作。
此外，快速开关特性和优化的栅极电荷有助于降低开关损耗，进一步提升整体系统效率。
小尺寸的 QFN 封装使该器件成为需要紧凑布局的应用的理想选择。
CSD18535KTT 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 各类 DC-DC 转换器，如降压、升压和反激拓扑。
2. 笔记本电脑及服务器中的负载点电源解决方案。
3. 高效电机驱动电路。
4. 通信设备中的功率管理模块。
5. 工业自动化设备中的开关电源单元。
6. 电动汽车中的辅助电源系统。
由于其高效的性能和可靠性，这款 MOSFET 成为了许多高要求应用的首选元件。
CSD18536KTT, CSD18534KTT
