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CSD18510Q5B 发布时间 时间:2025/5/6 20:47:25 查看 阅读:17

CSD18510Q5B 是一款由德州仪器 (TI) 生产的 N 沟道增强型硅氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET),采用 6 引脚 SOT-23 封装。该器件结合了 GaN 的高性能特性和简单易用的驱动要求,专为高频和高效率应用而设计。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合于 DC-DC 转换器、负载点 (POL) 转换、电机驱动以及其他功率转换应用场景。
  CSD18510Q5B 的工作电压范围为 20V 至 100V,并且具有非常低的导通电阻(Rds(on)),能够在高频率下实现高效的功率传输。同时,它还具备良好的热性能以及出色的可靠性和耐用性。

参数

最大额定电压:100V
  导通电阻(Rds(on)):7mΩ
  连续漏极电流(Id):10A
  栅极电荷(Qg):4.5nC
  反向恢复电荷(Qrr):无(零反向恢复)
  封装类型:SOT-23
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

CSD18510Q5B 具有以下主要特性:
  1. 高效开关性能:由于其低导通电阻和极低的栅极电荷,能够显著减少传导损耗和开关损耗。
  2. 快速开关速度:支持 MHz 级别的开关频率,适合高频功率转换应用。
  3. 零反向恢复:消除了传统 Si 器件中的反向恢复损耗,进一步提高了系统效率。
  4. 热性能优异:优化的封装设计确保在高温环境下仍能保持稳定运行。
  5. 易于驱动:兼容标准逻辑电平信号,简化了电路设计流程。
  6. 可靠性强:通过严格的测试验证,满足工业级可靠性要求。

应用

CSD18510Q5B 广泛应用于以下领域:
  1. DC-DC 转换器:包括降压、升压及升降压拓扑结构,适用于服务器、通信设备等电源管理系统。
  2. 负载点 (POL) 转换:为 FPGA、微处理器及其他数字 IC 提供高效稳定的供电方案。
  3. 电机驱动:用于无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机驱动电路中,提高效率并降低发热。
  4. 充电器与适配器:便携式电子设备快充解决方案中的关键组件。
  5. 工业自动化:如机器人控制、可编程逻辑控制器 (PLC) 等需要高效功率管理的场合。

替代型号

CSD18501Q5B, CSD18521Q5B, CSD18531Q5B

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CSD18510Q5B参数

  • 现有数量7,421现货
  • 价格1 : ¥17.57000剪切带(CT)2,500 : ¥8.94364卷带(TR)
  • 系列NexFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)300A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)0.96 毫欧 @ 32A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)153 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)11400 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)156W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-VSON-CLIP(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerTDFN