CSD18510Q5B 是一款由德州仪器 (TI) 生产的 N 沟道增强型硅氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET),采用 6 引脚 SOT-23 封装。该器件结合了 GaN 的高性能特性和简单易用的驱动要求,专为高频和高效率应用而设计。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合于 DC-DC 转换器、负载点 (POL) 转换、电机驱动以及其他功率转换应用场景。
CSD18510Q5B 的工作电压范围为 20V 至 100V,并且具有非常低的导通电阻(Rds(on)),能够在高频率下实现高效的功率传输。同时,它还具备良好的热性能以及出色的可靠性和耐用性。
最大额定电压:100V
导通电阻(Rds(on)):7mΩ
连续漏极电流(Id):10A
栅极电荷(Qg):4.5nC
反向恢复电荷(Qrr):无(零反向恢复)
封装类型:SOT-23
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
CSD18510Q5B 具有以下主要特性:
1. 高效开关性能:由于其低导通电阻和极低的栅极电荷,能够显著减少传导损耗和开关损耗。
2. 快速开关速度:支持 MHz 级别的开关频率,适合高频功率转换应用。
3. 零反向恢复:消除了传统 Si 器件中的反向恢复损耗,进一步提高了系统效率。
4. 热性能优异:优化的封装设计确保在高温环境下仍能保持稳定运行。
5. 易于驱动:兼容标准逻辑电平信号,简化了电路设计流程。
6. 可靠性强:通过严格的测试验证,满足工业级可靠性要求。
CSD18510Q5B 广泛应用于以下领域:
1. DC-DC 转换器:包括降压、升压及升降压拓扑结构,适用于服务器、通信设备等电源管理系统。
2. 负载点 (POL) 转换:为 FPGA、微处理器及其他数字 IC 提供高效稳定的供电方案。
3. 电机驱动:用于无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机驱动电路中,提高效率并降低发热。
4. 充电器与适配器:便携式电子设备快充解决方案中的关键组件。
5. 工业自动化:如机器人控制、可编程逻辑控制器 (PLC) 等需要高效功率管理的场合。
CSD18501Q5B, CSD18521Q5B, CSD18531Q5B