1812B332M251CT 是一种贴片式多层陶瓷电容器(MLCC),采用1812封装形式,具有高容值和低ESR特性,适用于各种高频电路、滤波器和电源管理场景。该型号属于X7R温度特性的电容器,能够在较宽的温度范围内保持稳定的电容量。
其主要用途包括去耦、旁路、信号滤波等,广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。
封装:1812
标称电容值:3.3μF
额定电压:25V
温度特性:X7R (-55°C to +125°C, ΔC ≤ ±15%)
耐压等级:25V
最大工作温度:+125°C
最小工作温度:-55°C
公差:±20%
直流偏置特性:中等降幅
介质材料:X7R
1812B332M251CT 采用了高性能的X7R陶瓷介质,具有优良的温度稳定性和频率响应能力。
这种电容器在温度范围为-55°C到+125°C内能够保证电容量变化不超过±15%,非常适合用于需要高稳定性的应用环境。
由于其较大的尺寸(1812封装)和相对较高的容值(3.3μF),它可以在高频应用中提供较好的滤波性能。
此外,这款电容器还具备较低的等效串联电阻(ESR),有助于减少能量损耗并提高效率。
需要注意的是,当施加较大直流电压时,实际电容量可能会因直流偏置效应而有所下降。
1812B332M251CT 适合用于多种电子电路设计中的关键功能实现:
1. 去耦电容:消除电源线上的噪声干扰,确保IC和其他元件获得纯净的供电。
2. 旁路电容:为高频信号提供低阻抗路径,避免信号失真。
3. 滤波电容:用于开关电源、DC-DC转换器等场合,平滑输出电压。
4. 耦合电容:在音频或射频电路中连接各级放大器,同时隔断直流成分。
5. 时序控制:与电阻配合形成RC充放电回路,用于定时或延时功能。
6. 工业控制:如电机驱动器、变频器中的滤波和缓冲作用。
由于其良好的温度特性和高频表现,该型号特别适合于要求严格的电源管理和信号处理应用。
1812C332M4PAE, C1812C332M4RACTU, GRM31CR61E336ME11D