时间：2025/8/9 19:44:59
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2MBI50P-140 是由富士电机（Fuji Electric）生产的一款双模组功率半导体器件，主要用于工业级电力电子应用。该器件是一个绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块，结合了MOSFET的高输入阻抗特性和BJT的低导通压降特性。2MBI50P-140采用双模组封装，内置两个IGBT单元，每个单元的最大集电极电流为50A，额定电压为1400V，适用于需要高效能和高可靠性的电力转换系统。
型号: 2MBI50P-140
类型: IGBT模块
封装形式: 双模组（Dual Module）
最大集电极电流: 50A x2
额定电压: 1400V
导通压降: 典型值2.1V @ 50A, 15V栅极驱动
短路耐受能力: 10μs @ 150°C结温
工作温度范围: -40°C ~ 150°C
存储温度范围: -40°C ~ 150°C
绝缘电压: 2500Vrms/分
重量: 约65g
2MBI50P-140 IGBT模块具有多项先进的电气和热性能特点，适合高功率密度和高效率的电力电子系统设计。
首先，该模块的双模组设计允许在一个封装中集成两个IGBT单元，这种布局优化了空间利用率，并减少了外部连接的复杂性。此外，该模块采用了富士电机的第五代IGBT芯片技术，具备较低的导通压降和开关损耗，从而提高了整体系统效率并降低了散热需求。
其次，2MBI50P-140具有出色的短路耐受能力，可在150°C结温下承受10μs的短路电流冲击，这显著提高了系统的可靠性，尤其是在电机驱动或电源变换等易受瞬态过载影响的应用中。
再者，模块的封装结构采用了高性能陶瓷基板和绝缘层，确保了良好的电气绝缘性能（绝缘电压达2500Vrms/分），同时增强了热循环耐久性，适用于恶劣的工业环境。
此外，2MBI50P-140的封装设计考虑了热膨胀系数的匹配性，降低了因热应力导致的焊点疲劳风险，从而延长了模块的使用寿命。该模块还支持多种冷却方式，包括自然冷却、风冷和液冷，适应不同的系统设计需求。
2MBI50P-140广泛应用于需要高功率密度、高效率和高可靠性的电力电子系统中。
在工业领域，该模块常用于变频器和伺服驱动器中的逆变电路，用于控制交流电机的速度和扭矩。其高耐压能力和低导通压降特性使其特别适用于高性能电机控制应用。
在可再生能源系统中，2MBI50P-140可用于光伏逆变器和风力发电变流器，负责将直流电转换为交流电并馈入电网。其优异的热稳定性和短路保护能力确保了系统在恶劣环境下的长期稳定运行。
此外，该模块也适用于电能质量调节设备，如不间断电源（UPS）、有源滤波器和电能回馈装置。在这些应用中，2MBI50P-140能够实现高效的能量转换和精确的波形控制。
由于其高可靠性和紧凑的设计，2MBI50P-140也被广泛应用于电动汽车充电设备、电焊机和感应加热设备等工业和消费类电力电子系统中。
CM400HA-30H, 2MBI75P-140, SKM50GB148D
