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CSD18509Q5BT 发布时间 时间:2025/7/19 1:24:16 查看 阅读:8

CSD18509Q5BT是一款由Texas Instruments生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于高效率电源转换系统,如DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电源管理系统中。该器件采用先进的功率封装技术,具备低导通电阻和高电流承载能力,适合在高频率开关应用中使用。CSD18509Q5BT采用了热增强型封装,有助于提高器件的散热性能,从而在高负载条件下保持稳定工作。

参数

制造商:Texas Instruments
  类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):100V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):50A
  导通电阻(RDS(on)):5.3mΩ(最大值,典型值为4.7mΩ)
  功率耗散(PD):150W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:PowerPAK SO-8双封装,带散热焊盘

特性

CSD18509Q5BT具有多个关键特性,使其在高性能电源管理系统中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,从而提高了整体系统效率,并减少了对散热器的需求。其次,该器件采用先进的封装技术,带有散热焊盘,有效提升了热性能,使其能够在高电流和高温环境下稳定运行。此外,CSD18509Q5BT的栅极设计优化了开关性能,减少了开关损耗,适用于高频开关应用。该器件还具有良好的抗雪崩击穿能力和较高的耐用性,能够承受瞬时过载和电压尖峰,从而提高了系统的可靠性。此外,其栅极驱动电压范围宽广(通常为4.5V至20V),允许使用标准逻辑电平驱动器进行控制,简化了设计和应用。CSD18509Q5BT还具备低栅极电荷(Qg)和低输出电容(Coss),进一步提升了开关速度和效率。

应用

CSD18509Q5BT适用于多种高功率密度和高效率的电源应用,包括但不限于同步整流DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关、服务器电源、工业自动化设备、UPS系统以及汽车电子系统。在同步整流拓扑中,该器件可以有效降低导通损耗并提高转换效率,特别是在高电流低电压输出的应用中表现尤为突出。此外,该器件还可用于高侧和低侧开关电路,提供快速响应和低功耗性能。在汽车电子系统中,CSD18509Q5BT可用于车载充电器、DC-DC转换器和电动助力转向系统中的功率开关。

替代型号

CSD18532Q5D、CSD18533Q5D、CSD18504Q5B

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CSD18509Q5BT参数

  • 现有数量14,918现货10,000Factory
  • 价格1 : ¥21.23000剪切带(CT)250 : ¥14.40524卷带(TR)
  • 系列NexFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.2 毫欧 @ 32A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)195 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)13900 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Ta),195W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-VSON-CLIP(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerTDFN