时间：2023/7/7 13:47:04
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CSD18509Q5B这款40V、1mΩ、SON5x6NexFET?功率MOSFET旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。它适用于DC-DC转换、次级侧同步整流器和电池电机控制应用。
CSD18509Q5B
| 制造商 | 德州仪器 |
| 制造商产品编号 | CSD18509Q5B |
| 供应商 | 德州仪器 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON |
| 零件状态 | 活性 |
| 场效应管类型 | N通道 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 40伏 |
| 电流 - 连续漏极(Id)@25°C | 100A(Ta) |
| 驱动电压(Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V、10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm@32A,10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V@250μA |
| 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 195 nC@10 V |
| Vgs(最大) | ±20V |
| 输入电容 (Ciss) (Max)@Vds | 13900pF@20V |
| 功耗(最大) | 3.1W(Ta), 195W(Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 安装方式 | 表面贴装 |
| 供应商设备包 | 8-VSON-CLIP (5x6) |
| 包装/箱 | 8-PowerTDFN |
| 连续漏极电流(ID) | 38A |
| 漏源击穿电压 | 40伏 |
| 漏源电阻 | 1毫欧 |
| 漏源电压(Vdss) | 40伏 |
| 栅源电压(Vgs) | 20伏 |
| 输入电容 | 13.9nF |
| 最大结温(Tj) | 150℃ |
| 最高工作温度 | 150℃ |
| 最大功耗 | 3.1瓦 |
| 最低工作温度 | -55℃ |
| 通道数 | 1 |
| 包装 | 卷带(TR) |
| 功耗 | 3.1瓦 |
| 最大 Rds | 1.2毫欧 |
| 上升时间 | 19纳秒 |
| 关断延迟时间 | 57纳秒 |
| 开启延迟时间 | 9纳秒 |
| 高度 | 1.05毫米 |
| 长度 | 5毫米 |
| 厚度 | 950微米 |
| 宽度 | 5毫米 |
| 属性 | 描述 |
| RoHS状态 | 符合ROHS3 |
| 湿气敏感度(MSL) | 1(无限制) |
| REACH状态 | REACH受影响 |
超低导通电阻
低热阻
雪崩额定值
逻辑电平
无铅端子电镀
符合 RoHS
无卤
SON 5mm × 6mm 塑料封装
电源管理
电机驱动与控制
工业
CSD18509Q5B符号
CSD18509Q5B脚印
CSD18509Q5B封装
| 型号 | 制造商 | 品名 | 描述 |
| CSD18509Q5BT | 德州仪器 | MOS管 | CSD18509Q5BT晶体管,MOSFET,N沟道,100A,40V,0.001ohm,10V,1.8V |
| CSD18510Q5B | 德州仪器 | MOS管 | 40V、N沟道NexFETMOSFET?、单路、SON5x6、0.96mΩ8-VSON-CLIP-55to150 |
