CSD18501Q5A是一款由Texas Instruments(德州仪器)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率电源转换应用,如DC-DC转换器、负载开关和马达控制电路。该MOSFET采用先进的硅工艺技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力和高电流容量,能够在高频条件下保持稳定工作。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):100V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):100A
导通电阻(Rds(on)):5.3mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围:-55°C ~ 175°C
封装类型:TO-252(DPAK)
功率耗散(Pd):230W
栅极电荷(Qg):95nC @ 10V
输入电容(Ciss):2400pF @ 25V
CSD18501Q5A具有多项卓越特性,使其在高功率和高效率的电源系统中表现出色。
首先,该器件的导通电阻(Rds(on))非常低,仅为5.3mΩ(在Vgs=10V时),这意味着在高电流条件下,导通损耗极小,有助于提高整体效率。
其次,该MOSFET的漏源电压额定值为100V,能够承受较高的电压应力,适用于中高压电源转换系统。其栅源电压容限为±20V,确保在复杂驱动环境下仍能稳定工作。
此外,CSD18501Q5A的连续漏极电流可达100A,适用于高电流负载的应用。在高频开关条件下,其栅极电荷(Qg)为95nC,这一参数较低,有助于减少开关损耗,从而提升整体系统的能效。
该器件采用TO-252(DPAK)封装,具备良好的热性能和机械稳定性,适合在空间受限的设计中使用。其工作温度范围广泛,从-55°C到175°C,适用于工业级和汽车电子等严苛环境。
最后,CSD18501Q5A的功率耗散能力为230W,表明其具备较强的散热能力,可在高负载下长时间稳定运行。
CSD18501Q5A广泛应用于多个高性能功率电子系统中,尤其是在需要高效能和高可靠性的场景下。
最常见的应用之一是DC-DC转换器,尤其在同步整流拓扑中,该MOSFET作为高侧或低侧开关,能显著降低导通损耗,提高转换效率。其低Rds(on)和高电流能力使其成为高效能电源模块的理想选择。
在负载开关电路中,CSD18501Q5A可用于控制电源分配,实现快速开关操作,同时具备较低的导通压降,减少系统发热。
另外,该器件也适用于马达控制、电池管理系统和太阳能逆变器等应用。在这些系统中,MOSFET需要承受较高的电压和电流应力,而CSD18501Q5A的高耐压能力和强电流承载能力使其成为可靠的选择。
此外,该器件也广泛应用于服务器电源、电信设备电源、工业自动化控制以及电动汽车(EV)充电模块等领域。其优异的热管理和高频响应特性,使其在紧凑型电源设计中发挥重要作用。
SiHH100N10T、FDS8876、IRF1405、NDS8855、CSD18503Q5A