CSD18501Q5A 时间：2025/7/19 3:11:59 阅读：7

CSD18501Q5A是一款由Texas Instruments（德州仪器）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率电源转换应用，如DC-DC转换器、负载开关和马达控制电路。该MOSFET采用先进的硅工艺技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和高电流容量，能够在高频条件下保持稳定工作。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：5.3mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　功率耗散（Pd）：230W
　　栅极电荷（Qg）：95nC @ 10V
　　输入电容（Ciss）：2400pF @ 25V

特性

CSD18501Q5A具有多项卓越特性，使其在高功率和高效率的电源系统中表现出色。
　　首先，该器件的导通电阻（Rds(on)）非常低，仅为5.3mΩ（在Vgs=10V时），这意味着在高电流条件下，导通损耗极小，有助于提高整体效率。
　　其次，该MOSFET的漏源电压额定值为100V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压电源转换系统。其栅源电压容限为±20V，确保在复杂驱动环境下仍能稳定工作。
　　此外，CSD18501Q5A的连续漏极电流可达100A，适用于高电流负载的应用。在高频开关条件下，其栅极电荷（Qg）为95nC，这一参数较低，有助于减少开关损耗，从而提升整体系统的能效。
　　该器件采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的热性能和机械稳定性，适合在空间受限的设计中使用。其工作温度范围广泛，从-55°C到175°C，适用于工业级和汽车电子等严苛环境。
　　最后，CSD18501Q5A的功率耗散能力为230W，表明其具备较强的散热能力，可在高负载下长时间稳定运行。

应用

CSD18501Q5A广泛应用于多个高性能功率电子系统中，尤其是在需要高效能和高可靠性的场景下。
　　最常见的应用之一是DC-DC转换器，尤其在同步整流拓扑中，该MOSFET作为高侧或低侧开关，能显著降低导通损耗，提高转换效率。其低Rds(on)和高电流能力使其成为高效能电源模块的理想选择。
　　在负载开关电路中，CSD18501Q5A可用于控制电源分配，实现快速开关操作，同时具备较低的导通压降，减少系统发热。
　　另外，该器件也适用于马达控制、电池管理系统和太阳能逆变器等应用。在这些系统中，MOSFET需要承受较高的电压和电流应力，而CSD18501Q5A的高耐压能力和强电流承载能力使其成为可靠的选择。
　　此外，该器件也广泛应用于服务器电源、电信设备电源、工业自动化控制以及电动汽车（EV）充电模块等领域。其优异的热管理和高频响应特性，使其在紧凑型电源设计中发挥重要作用。