时间：2025/5/6 12:25:17
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CSD17579Q3A 是一款由德州仪器（TI）生产的 N 没有P沟道 MOSFET 功率晶体管，采用先进的工艺制造，适用于高效能功率转换和开关应用。该器件具有极低的导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关能力，能够显著提高系统的效率并减少热损耗。
这种 MOSFET 非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理等场景。其封装形式为行业标准的小型封装类型，有助于节省电路板空间。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：46A
导通电阻（典型值）：2.3mΩ
栅极电荷：28nC
总电容：125pF
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：DSO-N8
CSD17579Q3A 具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻可以降低传导损耗，从而提升系统整体效率。
2. 快速开关速度确保在高频应用中实现高效率。
3. 高电流处理能力支持大功率应用需求。
4. 宽工作温度范围使其可以在恶劣环境下稳定运行。
5. 小巧的封装设计帮助简化 PCB 布局，并且节省空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保友好。
这款 MOSFET 广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 各类降压和升压 DC-DC 转换器。
2. 开关电源中的主开关元件。
3. 电动工具、无人机和其他便携式设备中的电机控制。
4. 手机和平板电脑等消费类电子产品中的负载开关。
5. 电池保护和管理系统。
6. 可再生能源系统如太阳能逆变器中的功率调节模块。
CSD17578Q5A, CSD18531Q5A, IRF7848TRPBF
