CSD17578Q5A 时间：2025/7/19 3:10:48 阅读：2

CSD17578Q5A是一款由Texas Instruments（德州仪器）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的TrenchFET技术，具有低导通电阻和优异的热性能，适用于服务器、电信设备、工业电源以及DC/DC转换器等场景。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V（最大）
　　连续漏极电流（ID）：80A（在25°C环境温度下）
　　导通电阻（RDS(on)）：3.9mΩ（最大，典型值为2.9mΩ）
　　封装类型：5mm x 6mm SON（小外形无引脚封装）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　功率耗散（PD）：42W（最大）

特性

CSD17578Q5A具备多项优异特性，首先是其极低的导通电阻（RDS(on)），显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。该器件采用先进的TrenchFET技术，使得在相同的封装尺寸下，性能优于传统MOSFET。此外，其SON封装设计具有优异的热管理能力，能够有效散热，从而提升器件在高负载条件下的稳定性和可靠性。
　　该MOSFET还具备高电流承载能力，在25°C环境温度下可支持高达80A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。其栅极驱动电压范围宽泛，支持常见的4.5V至20V驱动电压，兼容多种控制电路设计。由于采用了无铅封装工艺，符合RoHS环保标准，适合现代电子设备的绿色制造要求。
　　在可靠性方面，CSD17578Q5A具有优异的抗雪崩能力和抗短路能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行，适用于高可靠性的工业和通信设备。

应用

CSD17578Q5A广泛应用于多种高性能电源管理系统中，包括服务器和电信设备的DC/DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制器以及电池管理系统等。由于其高效率和高电流承载能力，特别适合用于需要高功率密度和高效能转换的场合，如高性能计算设备、工业自动化系统和电源模块设计。
　　在服务器电源系统中，该MOSFET可用于构建高效的VRM（电压调节模块），满足处理器对稳定电压和快速响应的需求。在电信设备中，CSD17578Q5A可支持48V至较低电压的转换，提升整体系统效率。此外，在电机控制和驱动电路中，该器件能够提供稳定的开关性能，减少能耗并提升系统响应速度。