时间：2025/5/6 20:44:02
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CSD17555Q5A 是一款由德州仪器（TI）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种需要高效功率转换的应用场景。
该器件采用了QFN封装形式，能够有效降低寄生电感并提高散热性能，非常适合要求紧凑设计的电路。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：24A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：39nC
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装类型：QFN-8
CSD17555Q5A 的主要特点是其非常低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 1.8 毫欧，在高频应用中可显著减少传导损耗。此外，该器件的栅极电荷较低，有助于实现更快的开关速度，从而进一步提升效率。
该器件的工作结温范围较宽，从 -55°C 到 +175°C，使其能够在极端环境条件下稳定运行。
另外，其 QFN 封装设计优化了热性能和电气性能，适合用于高密度布局的 PCB 设计。
CSD17555Q5A 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关和电池保护等场合。它特别适合于那些需要高效率和高功率密度的设计，例如笔记本电脑适配器、服务器电源以及电动工具中的功率级解决方案。
由于其出色的热特性和电气特性，这款 MOSFET 还被广泛推荐用于工业自动化设备中的功率管理模块。
CSD18510Q5A
CSD17557Q5A
