时间：2025/9/14 11:46:31
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BUK6213-30A,118是一款由NXP Semiconductors（原Philips）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于需要高效、高可靠性的电源管理系统中。该MOSFET封装为TO-220，具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制等多种应用。该器件具有良好的热稳定性和过载能力，适合在高要求的工业和汽车环境中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：85A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd)：150W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-220
BUK6213-30A,118具备多个优异的电气和热性能特点，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为4.5mΩ，使得该器件能够高效地处理高电流。其次，该MOSFET具有高达85A的连续漏极电流能力，适用于高功率负载的应用场景。
此外，该器件采用了先进的TrenchMOS技术，提供更小的芯片尺寸和更高的电流密度，同时保持较低的开关损耗。这使得BUK6213-30A,118在高频开关应用中依然表现出色，适用于DC-DC转换器、同步整流器等。
在热管理方面，TO-220封装具备良好的散热性能，确保器件在高负载条件下仍能维持稳定运行。其最大功率耗散为150W，在适当的散热设计下，可以支持长时间高电流工作。此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下提供额外的可靠性保障。
在应用兼容性方面，BUK6213-30A,118的栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V或12V驱动电压，适用于各种控制电路设计。其±20V的栅源电压容限也增强了器件在电压波动环境下的稳定性。
BUK6213-30A,118广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动、负载开关以及工业自动化控制系统。在汽车电子方面，该器件适用于车载电源管理、电动助力转向系统（EPS）和起停系统等应用。此外，在服务器电源、UPS系统、工业电机控制和智能电网设备中，该MOSFET也具有广泛的应用前景。
IRF1405, Si4410DY, FDS4410A
