容量：128MB
　　组织结构：16M x 8位
　　电源电压：1.7V - 3.3V（核心电压为1.7V - 2.5V，I/O电压为2.3V - 3.6V）
　　工作频率：高达166MHz
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：54-ball FBGA
　　数据宽度：8位
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　刷新周期：64ms
　　封装引脚数：54
　　接口类型：标准SDRAM接口
　　功耗：低功耗CMOS技术

HY5MS7B2LF-6 是一款专为移动设备优化的DRAM芯片，具有多项显著特性。首先，其低功耗设计使其非常适合电池供电设备，支持设备延长续航时间。该芯片采用双电压供电方式，核心电压为1.7V - 2.5V，I/O电压为2.3V - 3.6V，能够兼容多种系统电压标准，同时降低功耗。此外，该芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）模式，能够在不访问存储器时自动维持数据完整性，进一步减少能耗。
　　在性能方面，HY5MS7B2LF-6 支持高达166MHz的时钟频率，提供高速数据访问能力，满足移动设备对快速响应和高吞吐量的需求。其采用标准SDRAM接口，便于系统集成和设计。封装方面，该芯片采用54-ball FBGA封装，具有较小的封装尺寸和良好的热性能，适用于高密度PCB布局。
　　该芯片还支持多种工作模式，包括突发读写模式、预充电模式和低功耗待机模式，用户可根据系统需求灵活配置。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适应工业级工作环境，确保在各种应用条件下的稳定运行。

HY5MS7B2LF-6 广泛应用于对功耗和体积要求较高的移动电子设备中。典型应用包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、GPS导航设备以及嵌入式系统等。由于其低功耗特性和高性能表现，该芯片也适用于需要间歇性操作和长时间续航的物联网（IoT）设备。此外，在工业控制、数据采集系统和通信模块中，HY5MS7B2LF-6 可作为主存储器或缓存使用，提供快速可靠的数据存储与访问能力。其工业级工作温度范围使其在恶劣环境条件下仍能保持稳定运行，适用于车载电子、航空航天和工业自动化等领域。

MT48LC16M16A2B4-6A, K4S641632K-F8BC