CSD17552Q5A 时间：2025/7/19 3:05:15 阅读：9

CSD17552Q5A 是由 Texas Instruments（德州仪器）生产的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的 TrenchFET 技术。该器件专为高效率和高功率密度设计，适用于广泛的电源管理应用。CSD17552Q5A 具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能，非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流：25 A
　　最大漏源电压：30 V
　　导通电阻（Rds(on)）：11.5 mΩ @ Vgs = 4.5 V
　　栅极电荷：12 nC
　　功率耗散：3.8 W
　　封装：5mm x 6mm SON
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

CSD17552Q5A 的核心优势在于其卓越的导通性能和开关特性。该器件的低导通电阻（Rds(on)）使其在高电流应用中具有极低的传导损耗，从而提高整体效率。同时，其较小的栅极电荷值（Qg）降低了开关损耗，有助于提高开关频率并减少外部驱动电路的需求。
　　这款 MOSFET 采用了 SON 5mm x 6mm 封装，具备优异的热管理能力，能够在高功率密度设计中有效散热。此外，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C）使其在极端环境条件下依然保持稳定性能。
　　CSD17552Q5A 还具备高耐用性和可靠性，适用于汽车电子、工业控制和通信设备等对性能要求较高的领域。其先进的制造工艺确保了器件在长期运行中的稳定性，降低了故障率并延长了使用寿命。

应用

CSD17552Q5A 主要用于需要高效能功率管理的应用场景。例如，在 DC-DC 转换器中，该器件的低导通电阻和快速开关特性可显著提高转换效率；在电池管理系统中，它能够提供可靠的开关控制，延长电池寿命；在电机控制和电源管理模块中，其高电流能力和优异的热性能确保了系统的稳定运行。
　　此外，该 MOSFET 在服务器电源、工业自动化设备、电动车充电系统以及便携式电子产品中也有广泛应用。由于其高可靠性和紧凑的封装设计，它也适用于对空间要求严格的嵌入式系统和高密度 PCB 布局设计。