CSD17552Q5A 是由 Texas Instruments(德州仪器)生产的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET,采用先进的 TrenchFET 技术。该器件专为高效率和高功率密度设计,适用于广泛的电源管理应用。CSD17552Q5A 具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能,非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等场景。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流:25 A
最大漏源电压:30 V
导通电阻(Rds(on)):11.5 mΩ @ Vgs = 4.5 V
栅极电荷:12 nC
功率耗散:3.8 W
封装:5mm x 6mm SON
工作温度范围:-55°C 至 150°C
CSD17552Q5A 的核心优势在于其卓越的导通性能和开关特性。该器件的低导通电阻(Rds(on))使其在高电流应用中具有极低的传导损耗,从而提高整体效率。同时,其较小的栅极电荷值(Qg)降低了开关损耗,有助于提高开关频率并减少外部驱动电路的需求。
这款 MOSFET 采用了 SON 5mm x 6mm 封装,具备优异的热管理能力,能够在高功率密度设计中有效散热。此外,其宽泛的工作温度范围(-55°C 至 150°C)使其在极端环境条件下依然保持稳定性能。
CSD17552Q5A 还具备高耐用性和可靠性,适用于汽车电子、工业控制和通信设备等对性能要求较高的领域。其先进的制造工艺确保了器件在长期运行中的稳定性,降低了故障率并延长了使用寿命。
CSD17552Q5A 主要用于需要高效能功率管理的应用场景。例如,在 DC-DC 转换器中,该器件的低导通电阻和快速开关特性可显著提高转换效率;在电池管理系统中,它能够提供可靠的开关控制,延长电池寿命;在电机控制和电源管理模块中,其高电流能力和优异的热性能确保了系统的稳定运行。
此外,该 MOSFET 在服务器电源、工业自动化设备、电动车充电系统以及便携式电子产品中也有广泛应用。由于其高可靠性和紧凑的封装设计,它也适用于对空间要求严格的嵌入式系统和高密度 PCB 布局设计。
Si7496DP, FDS4410AS, IPB037N03LG