时间：2025/7/19 3:09:01
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CSD17506Q5A 是由 Texas Instruments（TI）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用 5mm x 6mm 的 SON 封装形式，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于高效率电源设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
漏极电流（Id）：40A（最大值）
导通电阻 Rds(on)：3.9mΩ @ Vgs=4.5V
导通电阻 Rds(on)：4.8mΩ @ Vgs=2.5V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：5mm x 6mm SON
CSD17506Q5A 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件在 4.5V 和 2.5V 的栅极驱动电压下均能提供优异的导通性能，适用于低电压功率转换应用，如同步整流器、DC-DC 转换器和负载开关。
此外，该 MOSFET 具有良好的热管理性能，其 SON 封装设计允许较高的功率密度，同时保持较小的 PCB 占用空间。该器件还具有较高的耐用性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行。
另一个显著优势是其快速的开关特性，能够减少开关损耗并提高系统的整体效率。此外，CSD17506Q5A 的栅极电荷较低，使其在高频开关应用中表现出色。
CSD17506Q5A 主要用于高性能电源管理系统中，如服务器、通信设备、工业控制系统、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备等。此外，它也广泛应用于同步整流、负载点（POL）电源模块以及电源管理 IC（PMIC）的配套电路中。
CSD17501Q5A, CSD17503Q5A, CSD17556Q5B
