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CSD17505Q5A 发布时间 时间:2025/8/2 8:35:33 查看 阅读:15

CSD17505Q5A 是一款由 Texas Instruments(德州仪器)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 5mm x 6mm 的 SON 封装。该器件专为高效率电源转换系统设计,适用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用。其低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力使其成为高性能功率管理应用的理想选择。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(Vds):20V
  栅源电压(Vgs):±12V
  连续漏极电流(Id)@25°C:12A
  导通电阻(Rds(on))@4.5V Vgs:4.2mΩ
  导通电阻(Rds(on))@2.5V Vgs:5.0mΩ
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:5mm x 6mm SON

特性

CSD17505Q5A 的核心优势在于其超低导通电阻和高电流能力,这使其在高功率密度应用中表现出色。该器件采用先进的封装技术,提供优异的热性能,能够有效散热,从而提高系统的可靠性和寿命。
  此外,CSD17505Q5A 的栅极驱动电压范围较宽,可在 2.5V 至 4.5V 之间工作,适用于多种驱动电路设计。其快速开关特性有助于减少开关损耗,提高整体系统效率。
  该 MOSFET 还具有良好的抗雪崩能力,能够在高能脉冲条件下保持稳定运行,适合在恶劣环境中使用。同时,其低电容设计(如输入电容 Ciss 和输出电容 Coss)有助于减少高频应用中的开关损耗,提高响应速度。
  SON 封装的底部焊盘设计可以有效降低热阻,使得该器件在高负载条件下仍能维持较低的工作温度,适合用于多层 PCB 设计和紧凑型电源模块。

应用

CSD17505Q5A 主要用于需要高效率和高电流处理能力的电源管理系统。常见应用包括服务器电源、电信设备电源、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机驱动器以及工业自动化控制系统。
  在服务器和通信设备中,该器件常用于多相电源转换系统,以提高能效并降低功耗。在电机控制和电池管理系统中,其高电流能力和低导通电阻使其成为理想的选择。
  由于其优异的热性能和小尺寸封装,CSD17505Q5A 也广泛应用于便携式电子设备和嵌入式系统中的功率开关和负载管理电路。

替代型号

SiSS170DN, NexFET CSD17501Q5A, CSD17503Q5A, CSD17507Q5B

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CSD17505Q5A参数

  • 产品培训模块NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件PowerStack? Packaging Technology Overview
  • 特色产品CSD17505Q5A N-Channel NexFET? Power MOSFET
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列NexFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.5 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.8V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1980pF @ 15V
  • 功率 - 最大3.2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装8-SON(5x6)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称296-28082-6