时间：2025/8/14 8:46:24
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PJMD900N60EC_L2_00001是一款高性能的功率MOSFET模块，专为高效率、高功率密度的电力电子应用设计。该模块采用先进的封装技术和半导体工艺，具有优异的热管理和电气性能。其主要特点包括高击穿电压、低导通电阻和快速开关特性，适用于需要高可靠性和高效能的工业和汽车电子系统。
类型：功率MOSFET模块
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：900A
导通电阻(Rds(on))：1.75mΩ（典型值）
封装形式：双面散热封装
工作温度范围：-55°C至+175°C
栅极电荷(Qg)：220nC（典型值）
漏源击穿电压(BVdss)：600V
短路耐受能力：600V/10μs
PJMD900N60EC_L2_00001采用先进的SiC（碳化硅）技术，提供了卓越的开关性能和低导通损耗，使其在高频率和高功率应用中表现出色。模块内部集成了高效的散热结构，能够有效降低工作温度，提高系统的可靠性和寿命。此外，该器件具备优异的短路耐受能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。其双面散热封装设计进一步优化了热传导效率，确保在高负载下也能维持良好的散热性能。
该功率MOSFET模块还具有良好的电磁兼容性(EMC)，能够在复杂的电磁环境中稳定工作。其栅极驱动电路设计优化，减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI)。同时，模块内部的封装材料和结构设计也经过严格测试，以确保在高温、高湿和高振动环境下的长期稳定性。
PJMD900N60EC_L2_00001广泛应用于电动汽车(EV)充电系统、电动车辆动力总成、可再生能源系统（如太阳能逆变器和风能变流器）、工业电机驱动器和高功率电源模块。其优异的电气性能和可靠性使其成为要求苛刻的高功率应用的理想选择，特别是在需要高效率和高功率密度的场合。
CMF300N60E3、STY90N60DEDM2、SKM400GB60D、IXFH900N60P2
