时间：2025/5/6 13:46:17
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CSD17501Q5A 是一款由德州仪器 (TI) 推出的 N 通道增强型 SiC（碳化硅）MOSFET。这款器件采用先进的碳化硅技术，能够在高频开关应用中提供卓越的效率和功率密度。它适合用于高电压、大电流场景，例如 EV 充电桩、太阳能逆变器、电机驱动以及 DC-DC 转换器等应用。
该器件具有较低的导通电阻和快速开关特性，能够显著减少传导和开关损耗，同时支持高达 1200V 的工作电压，确保在恶劣条件下依然保持稳定性能。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：9A
导通电阻（典型值）：65mΩ
栅极阈值电压：2.5V 至 5.5V
输入电容：480pF
总栅极电荷：60nC
开关速度：非常快
封装形式：TO-247-4
CSD17501Q5A 使用了 SiC 材料，相比传统硅基 MOSFET 提供了更高的耐压能力和更低的导通电阻，从而实现更高效的能量转换。其快速开关特性减少了开关损耗，并允许设计人员在更高频率下运行系统，从而减小无源元件尺寸并提高整体功率密度。
此外，CSD17501Q5A 的热性能优异，具备更高的结温能力（最高可达 175°C），有助于简化散热设计并提升系统的可靠性。
由于其低 Qg 和 Ciss 参数，这款 MOSFET 易于驱动，可以与标准工业驱动 IC 配合使用，进一步简化设计流程。
CSD17501Q5A 广泛应用于需要高效能和高可靠性的领域，包括但不限于以下方面：
- 电动汽车 (EV) 充电桩
- 太阳能光伏逆变器
- 工业电机驱动系统
- 高频 DC-DC 转换器
- 不间断电源 (UPS)
- PFC（功率因数校正）电路
凭借其高耐压特性和低损耗表现，CSD17501Q5A 成为这些高要求应用的理想选择。
CSD18502Q5B
