MP24895GJ是一款由MPS(Monolithic Power Systems)公司生产的高性能、半桥栅极驱动器集成电路。该芯片专为驱动功率MOSFET和IGBT等功率开关器件设计,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及工业自动化控制系统中。MP24895GJ采用高压工艺制造,能够承受高达120V的电压,同时提供高驱动能力和出色的抗噪性能,确保功率器件在高频工作下的稳定性和可靠性。该芯片内置上下桥臂的独立驱动通道,具有较宽的工作电压范围和低传输延迟特性,适用于多种高功率应用场景。
工作电压范围:4.5V至120V
输出驱动电压范围:4.5V至120V
输出电流能力:高端和低端各1.5A(典型值)
传输延迟时间:典型值为15ns
上升/下降时间:典型值为8ns/7ns
工作温度范围:-40°C至+125°C
封装类型:TSOT23-6
MP24895GJ具备多项优良特性,首先是其高集成度的设计,内置高端和低端两个独立的栅极驱动通道,适用于半桥结构的功率转换电路。该芯片支持宽范围的输入电源电压,适应4.5V至120V的输入范围,使其能够兼容多种电源系统,并适用于不同的功率开关器件驱动需求。
其次,MP24895GJ具有优异的动态响应能力,传输延迟时间仅为15ns,同时具备快速的上升和下降时间,有助于提升系统的开关效率和稳定性。此外,该芯片采用了先进的CMOS工艺和高压工艺,具有良好的抗干扰能力和高噪声抑制性能,确保在高频工作条件下依然能够可靠运行。
在保护功能方面,MP24895GJ设计了欠压锁定(UVLO)保护机制,确保当电源电压低于设定阈值时,输出被自动关闭,以防止功率器件在非理想条件下工作。其采用的浮动电源结构支持高端驱动,无需外部自举电路,简化了外围电路设计,提高了系统的稳定性。
MP24895GJ还具备良好的热稳定性,能够在-40°C至+125°C的工业级温度范围内正常工作,适用于各种严苛环境下的应用。
MP24895GJ主要用于需要高效驱动功率MOSFET或IGBT的高电压、高频率应用场景,如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、H桥电机驱动、逆变器、LED驱动电源、工业电源以及新能源系统(如太阳能逆变器)等。由于其具备高速驱动能力和高电压承受能力,因此在高频开关电源和高效率功率转换系统中具有广泛的应用前景。
MP24845GJ, MPQ4458GQ-A, NCP5101ADR2G