CSD17327Q5A 是一款由德州仪器 (TI) 生产的 NexFET 系列功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,提供低导通电阻和高开关效率,适用于各种高功率密度应用。其封装形式为 3.3mm x 3.3mm 的 QFN 封装,适合紧凑型设计需求。
这款功率 MOSFET 主要用于 DC/DC 转换器、负载点转换器、电机驱动器以及其他需要高效功率管理的场景。其优化的性能参数使其在高频开关应用中表现出色,同时具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:48A
导通电阻(典型值):1.2mΩ
栅极电荷(典型值):6.5nC
输入电容(典型值):1940pF
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:QFN-8
CSD17327Q5A 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可有效降低传导损耗,提升系统效率。
2. 优化的栅极电荷参数,使得开关损耗得以减少,从而提高高频下的整体性能。
3. 高温工作能力,能够适应极端环境条件,确保长期运行的稳定性。
4. 小巧的 QFN 封装设计,有助于减小 PCB 占用面积,满足现代电子设备对小型化的需求。
5. 符合 AEC-Q101 标准,支持汽车级应用,确保高度可靠性和耐用性。
CSD17327Q5A 广泛应用于以下领域:
1. 汽车电子中的 DC/DC 转换器和电机驱动器。
2. 工业自动化设备中的电源模块和负载控制。
3. 通信设备中的高效功率转换电路。
4. 笔记本电脑和服务器的负载点 (POL) 转换器。
5. 其他需要高性能功率管理的场合,如电池管理系统 (BMS) 和 LED 驱动器。
CSD18508Q5A, CSD18507Q5A, CSD17574Q5A