CSD17305Q5A 是一款由德州仪器 (TI) 生产的高性能 N 沟道增强型 MOSFET,采用先进的工艺制造。该器件适用于高频、高效能的开关应用场合,例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。其优化的栅极电荷和导通电阻特性使其成为功率转换应用的理想选择。
该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能,可显著提高系统效率并减少发热。此外,它还具备坚固的雪崩能力和 ESD 保护功能,从而提高了系统的可靠性。
类型:N沟道MOSFET
封装:WSON-6
Vds(漏源电压):20V
Rds(on)(导通电阻):3.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 下)
Id(连续漏极电流):84A(典型值)
Qg(总栅极电荷):11nC
Bvdss(击穿电压):20V
Vgs(th)(栅极阈值电压):1.4V~2.2V
fT(截止频率):9.8MHz
Tj(结温范围):-55℃~150℃
CSD17305Q5A 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在 Vgs=10V 时为 3.5mΩ(典型值),能够有效降低传导损耗。
2. 快速的开关速度,得益于其较小的栅极电荷 Qg,仅为 11nC,适合高频应用。
3. 高额定电流 Id 达到 84A(典型值),支持大功率应用需求。
4. 小巧的 WSON-6 封装,节省了 PCB 空间,并提供了良好的散热性能。
5. 工作温度范围宽广,从 -55℃ 到 +150℃,适应各种恶劣环境。
6. 出色的热稳定性和耐用性,能够在高负载条件下长期运行。
7. 提供了可靠的雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性。
8. 内置 ESD 保护,进一步提升了产品的可靠性。
CSD17305Q5A 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 同步整流电路中的主开关或同步整流 MOSFET。
3. 笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中的负载开关。
4. 电池管理及保护系统。
5. 电机驱动和控制电路。
6. 通信电源模块和工业自动化设备中的功率级元件。
7. 其他需要高效功率转换的应用场景。
CSD17306Q5A,CSD18532Q5B,CSD18533Q5B