时间：2025/7/18 14:05:43
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CSD16556Q5B是一款由德州仪器（Texas Instruments）推出的N沟道功率MOSFET，主要用于高效率电源转换应用。该器件采用了先进的半导体工艺，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于同步整流器、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。CSD16556Q5B采用5mm x 6mm的超薄四方扁平无引脚（VQFN）封装，具备良好的热性能和空间利用率。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：60A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：4.5mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：7.5mΩ
功率耗散（Pd）：120W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：VQFN 5mm x 6mm
CSD16556Q5B采用了德州仪器的先进的Power56技术，提供极低的导通电阻，从而显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件在Vgs=10V时的Rds(on)仅为4.5mΩ，在Vgs=4.5V时也仅为7.5mΩ，这使得它在低压驱动条件下依然能够保持良好的性能。
此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力和良好的热管理能力。其VQFN封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且具备优异的散热性能，有助于在高负载条件下保持稳定运行。该器件还具备较高的耐用性和可靠性，能够适应恶劣的工作环境。
CSD16556Q5B的栅极驱动电压范围宽泛，支持4.5V至20V之间的栅极驱动，适用于多种控制方案，包括PWM控制和同步整流应用。此外，该器件的快速开关特性有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。
CSD16556Q5B广泛应用于各类高功率密度电源系统中，如服务器电源、通信电源、DC-DC转换模块、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统等。其低导通电阻和高电流能力使其特别适用于需要高效率和高性能的电源转换系统。
SiR142DP-T1-GE, NexFET CSD16401Q5B
