CSD16342Q5A 是一款由德州仪器(TI)生产的 N 沀道尔MOSFET。该器件采用先进的制程工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高效能功率转换应用。它通常用于 DC-DC 转换器、电机驱动器以及负载开关等场景。
这款 MOSFET 的封装形式为 QFN 封装(8 引脚),其紧凑的外形非常适合空间受限的设计。此外,该器件的工作温度范围较宽,能够满足工业及汽车级应用的要求。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:78A
导通电阻(典型值):1.1mΩ
栅极电荷(典型值):32nC
总电容(输入电容):960pF
工作结温范围:-55℃ 至 175℃
CSD16342Q5A 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力,支持高达 78A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能,降低开关损耗。
4. 提供出色的热性能,有助于在高功率密度应用中保持稳定运行。
5. 宽工作温度范围使其适合严苛环境下的应用。
6. 符合 AEC-Q101 标准,确保其在汽车应用中的可靠性。
CSD16342Q5A 主要应用于以下几个领域:
1. 电源管理 - 包括降压和升压 DC-DC 转换器。
2. 汽车电子系统 - 如电动助力转向、刹车系统和电池管理系统。
3. 工业自动化设备 - 包括伺服驱动。
5. LED 照明驱动电路。
CSD18502Q5B