时间：2025/12/24 16:43:51
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CSD13383F4 是一款由 Texas Instruments（德州仪器）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 100V 的漏源电压设计，适用于高效率功率转换和管理应用。该器件采用小型化的 6 引脚 SON 封装，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统等场景。
类型: N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds): 100 V
最大栅源电压(Vgs): ±20 V
最大连续漏极电流(Id): 8.7 A
导通电阻(Rds(on)): 10.6 mΩ（典型值）
功耗(Pd): 2.8 W
工作温度范围: -55°C 至 150°C
封装类型: 6 引脚 SON
CSD13383F4 的核心特性包括其低导通电阻（Rds(on)），这使得该器件在高电流工作条件下能够保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。此外，该 MOSFET 具有快速开关能力，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高转换效率。其 100V 的漏源电压额定值使其适用于多种中高功率应用。器件的栅极驱动电压范围宽，支持逻辑电平控制，便于与各种控制器或驱动器直接连接。此外，CSD13383F4 采用 SON 封装，具有良好的热性能，能够在紧凑的设计中实现高效的散热。
该器件还具备较高的耐用性和稳定性，在高温环境下依然能够保持良好的性能表现。其封装设计也有助于减少寄生电感，从而进一步提升开关性能。同时，CSD13383F4 还具备良好的短路耐受能力，增强了其在严苛工况下的可靠性。
CSD13383F4 主要用于需要高效能功率开关的场合，如同步整流电路、DC-DC 转换器（特别是降压和升压拓扑）、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）、工业自动化设备和便携式电子产品。其优异的导通特性和快速开关能力也使其成为电动工具、无人机和小型电动车辆中电池供电系统的理想选择。此外，该 MOSFET 可用于电机驱动、LED 照明控制以及各种高可靠性电源应用中。
SiSS138N10N-T1-GE3, FDS4410A, IPB013N10N3, BSC138N10NS5
