时间：2025/12/28 16:21:29
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CSD10060G是一款由Texas Instruments（TI）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的硅技术，提供高效率、低导通电阻和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制等多种功率电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：50A（在TC=25°C）
功耗（PD）：100W
导通电阻（RDS(on)）：最大6.0mΩ（典型值5.2mΩ）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-252（D-Pak）
CSD10060G具有极低的导通电阻，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。其高电流承载能力确保在高负载条件下仍能稳定工作。此外，该MOSFET具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高转换器的工作频率。其栅极设计支持高驱动电压兼容性，便于与多种控制IC配合使用。内置的体二极管提供了反向电流保护功能，增强了系统的可靠性。器件采用环保无铅封装，符合RoHS标准，适用于自动化贴片生产工艺。
在热管理方面，CSD10060G具有良好的热稳定性，能够通过PCB散热设计有效降低工作温度，从而延长使用寿命。该器件的封装形式（TO-252）提供了良好的机械强度和焊接可靠性，适用于工业级和汽车电子应用环境。
CSD10060G常用于各类功率电子设备中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、服务器电源、通信设备电源模块以及工业自动化控制系统等。其优异的性能也使其适用于新能源领域，如光伏逆变器、储能系统和电动汽车电源管理系统。
SiR142DP-T1-GE3, FDS6680, IPB013N06N3, CSD10065G
