时间：2025/8/4 15:48:09
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CSC1062AGP是一款由CSC（长安半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用中。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有较低的导通电阻和较高的开关性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制等多种场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：120A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：最大值为8.5mΩ（典型值可能更低）
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装形式：TO-263（D2PAK）表面贴装封装
功率耗散（Pd）：220W（最大值）
CSC1062AGP具有出色的导通性能和快速的开关响应，使其在高效率电源设计中表现出色。其低Rds(on)特性可显著降低导通损耗，提高系统整体效率。此外，该MOSFET具备较高的热稳定性和可靠性，适用于高温环境下的应用。采用TO-263封装，具有良好的散热能力，便于PCB布局和自动化生产。该器件还具备较强的过载和瞬态电流承受能力，确保在复杂工况下的稳定运行。
在结构设计上，CSC1062AGP采用了优化的芯片布局和封装技术，降低了寄生电感和电容，从而减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的逻辑电平驱动，提高了与控制器的兼容性。此外，器件内部的保护机制如过热保护和短路保护，进一步增强了系统的安全性。
CSC1062AGP主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及新能源汽车中的功率控制模块。由于其高效率和高可靠性的特点，该MOSFET也常用于高性能电源适配器、服务器电源、UPS（不间断电源）系统等对效率和稳定性要求较高的场合。
SiHF120N60E、IRF120N60D、FDPF120N60ES、STP120N6F7
