HY5PS1G831CFP-Y5C 是由 Hynix(现为 SK Hynix)生产的一款高性能 DDR3 SDRAM(双倍数据速率同步动态随机存取存储器)芯片。该芯片具有1Gbit的存储容量,采用x8配置,即每个存储单元有8个数据位宽。该型号属于低电压DDR3(LVDDR3)类别,工作电压为1.35V,相较于标准DDR3内存,功耗更低,适合用于对能耗敏感的应用场景。该芯片采用BGA(球栅阵列)封装技术,具有较高的可靠性和稳定性。
容量:1Gbit
组织结构:x8
电压:1.35V
封装:BGA
数据速率:800Mbps
温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
接口类型:DDR3 SDRAM
工作频率:400MHz
刷新周期:64ms
CAS延迟:CL=10
HY5PS1G831CFP-Y5C 具有多个显著特性,首先是其低电压设计,使其在运行过程中消耗的电能更少,适用于对功耗要求较高的嵌入式系统、移动设备和便携式电子产品。该芯片支持多种低功耗模式,包括预充电电源下降模式和自刷新模式,有助于在空闲或待机状态下进一步降低能耗。
其次,该芯片支持差分时钟信号(CK/CK#)和数据选通信号(DQS/DQS#),提高了数据传输的稳定性和抗干扰能力。其采用的DDR3 SDRAM架构允许在时钟的上升沿和下降沿同时传输数据,实现双倍数据速率,提高了数据带宽。
此外,HY5PS1G831CFP-Y5C 具备自动刷新和自刷新功能,确保数据在不频繁访问时依然能够保持完整。芯片还支持突发长度(BL)可编程设置,以适应不同的应用需求。其封装设计采用环保材料,符合RoHS标准,适合大规模工业应用。
HY5PS1G831CFP-Y5C 主要用于需要高性能、低功耗存储解决方案的电子设备中。常见的应用领域包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品。此外,该芯片也适用于工业控制设备、网络通信设备、汽车电子系统以及嵌入式系统等对稳定性和可靠性要求较高的场景。
在嵌入式系统中,HY5PS1G831CFP-Y5C 可作为主存储器或缓存使用,为处理器提供快速的数据访问能力。在移动设备中,其低电压特性有助于延长电池续航时间,提高设备的能效比。在汽车电子系统中,该芯片的宽温范围和高稳定性使其能够适应复杂的车载环境,确保系统的稳定运行。
HY5PS1G831AFTP-Y5C, MT48LC16M16A2B4-6A, K4B1G0846Q-HCK0