类型：GaAs 肖特基势垒二极管
　　封装形式：表面贴装（SMD）
　　结电容（Cj）：典型值 0.15 pF @ 4V
　　正向电压降（Vf）：典型值 320 mV @ 1 mA
　　反向击穿电压（Vbr）：最小值 7 V
　　最大正向电流（If）：10 mA
　　漏电流（Ir）：典型值 10 nA @ 10V
　　截止频率（fT）：> 100 GHz
　　工作温度范围：-65°C 至 +175°C
　　热阻（Rth）：约 300 °C/W
　　封装尺寸：约 1.0 x 0.6 x 0.4 mm

CSBP-D1189+ 的核心优势在于其基于砷化镓（GaAs）材料平台构建的肖特基势垒结构，这种材料组合赋予了器件卓越的高频响应能力和极低的寄生效应。其典型结电容仅为0.15pF，在高频射频电路中能够显著减少信号衰减和相位失真，从而提升系统的整体带宽和响应速度。这一特性使其特别适用于毫米波频段的应用场景，例如24GHz、60GHz乃至更高频率的无线通信系统。同时，该器件的低正向压降（仅320mV@1mA）意味着在小信号检测时具有更高的灵敏度和更低的功耗，这对于电池供电或对能效敏感的便携式设备尤为重要。
　　另一个关键特性是其出色的非线性性能和高动态范围。CSBP-D1189+ 在微弱信号输入条件下仍能保持良好的整流效率，因此广泛用于雷达接收前端的包络检波电路中。其低漏电流（典型值10nA）确保了在高温或长时间工作状态下仍能维持稳定的直流偏置点，避免因暗电流增大而导致信噪比下降。此外，该二极管具有非常快的反向恢复时间，几乎可以忽略不计，这使得它在高速开关和脉冲调制应用中表现出色。
　　热稳定性方面，CSBP-D1189+ 可在-65°C至+175°C的宽温度范围内正常工作，满足严苛环境下的可靠性需求，包括航空航天、车载雷达和户外基站等应用场景。其热阻约为300°C/W，表明其在功率耗散方面虽有限制，但在低功率信号处理场合完全胜任。封装设计优化了引线布局，最大限度地减少了引脚电感和寄生电容，进一步提升了高频性能的一致性与可重复性。制造商还提供完整的SPICE模型和电磁仿真数据，支持系统级集成与预验证，大幅缩短产品开发周期。

CSBP-D1189+ 主要应用于高频和微波电子系统中，尤其在需要高灵敏度信号检测和低失真混频功能的场景下表现突出。其典型应用之一是作为射频检波器，用于无线通信接收链路中的信号强度检测（RSSI），例如在5G毫米波基站、Wi-Fi 6E接入点或卫星通信终端中实现功率监测功能。由于其低结电容和高截止频率，该器件可在数十GHz频段内高效提取调制信号包络，确保接收机具备稳定的自动增益控制（AGC）能力。
　　另一重要应用是在混频器电路中作为本振（LO）注入端的整流元件，尤其是在零中频或低中频架构的收发器中。CSBP-D1189+ 的良好线性度和低噪声特性有助于降低混频产物中的杂散分量，提高信噪比和动态范围。此外，该二极管也常用于高频限幅器、过压保护电路以及雷达系统的脉冲检测模块中，利用其快速响应特性捕捉瞬态信号。
　　在测试与测量仪器领域，CSBP-D1189+ 被广泛集成于频谱分析仪、网络分析仪和信号发生器的前端探头中，用于实现精确的微波功率测量。其稳定的温度特性和长期可靠性保证了测量结果的一致性。此外，在汽车毫米波雷达（如24GHz或77GHz系统）中，该器件可用于辅助信号调理电路，提升目标识别精度。科研机构也在太赫兹通信实验系统中采用此类高性能肖特基二极管进行原型验证。

HSMS-285x
　　SMS7630
　　MACOM MA4E2047
　　Skyworks SMS7621