时间：2025/4/28 18:21:18
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5AGXBA1D6F27C6N 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，适用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
这款晶体管属于 N 沟道增强型 MOSFET，通过优化设计实现了出色的热性能和电气特性，非常适合需要高效能和高可靠性的工业及消费类电子产品。
型号：5AGXBA1D6F27C6N
类型：MOSFET (N 沟道)
最大漏源电压 Vds：60V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大漏极电流 Id：48A
导通电阻 Rds(on)：4.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗 Ptot：210W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
5AGXBA1D6F27C6N 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗，从而提高整体效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用场合，适合现代电力电子设备的需求。
3. 较宽的工作温度范围，确保在极端环境条件下仍能保持稳定运行。
4. 具备出色的雪崩能力和鲁棒性，能够在异常情况下保护电路。
5. 封装坚固耐用，易于安装和散热管理，适合高功率密度设计。
6. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. 电机驱动器中的功率级控制，例如无刷直流电机（BLDC）驱动。
3. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
6. 汽车电子中的各种功率控制单元。
IRFZ44N
STP55NF06L
FDP5575N
IXFN100N06T2
