类型：N 沟道
　　最大漏极电流（ID）：90A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤3.2mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：120W
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

CS90N03A4 具备多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。
　　首先，该 MOSFET 的导通电阻非常低，通常低于 3.2mΩ，这有助于减少导通损耗，提高整体系统的效率。在大电流应用中，这种低 RDS(on) 特性尤为重要。
　　其次，该器件采用先进的沟槽式 MOS 技术，优化了开关性能，降低了开关损耗。这使得 CS90N03A4 非常适合用于高频开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动器等应用。
　　此外，CS90N03A4 采用了 TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热管理和散热性能，能够承受较高的功耗。该封装形式也便于自动化生产和 PCB 布局设计。
　　最后，该 MOSFET 具有良好的抗雪崩能力和较高的可靠性，能够在恶劣的工作环境下稳定运行，适用于工业控制、通信电源、汽车电子等对可靠性要求较高的场合。

CS90N03A4 主要应用于各类中高功率电源系统中，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器：利用其低导通电阻和高开关速度，提高电源转换效率。
　　2. 电机驱动和马达控制电路：在电动工具、电动车辆、工业自动化设备中作为功率开关元件。
　　3. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制和保护电路。
　　4. 逆变器和 UPS 系统：在不间断电源和光伏逆变器中用于功率切换和能量转换。
　　5. 电源管理模块：如负载开关、电源分配系统等，适用于通信设备、服务器电源和工业控制系统。
　　6. 汽车电子系统：如车载充电器、电瓶管理系统和车用 DC-DC 转换器等，满足汽车电子对高可靠性和高稳定性的需求。

Si9410BDY-T1-E3、IRF9540N、FDPF90N03A4、FDS90N03A6、NCE90N03A