时间：2025/8/18 5:20:30
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H997D0206是一款高压功率MOSFET晶体管，专为高效率功率转换和高耐压应用而设计。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性，适用于各种高要求的功率电子设备。H997D0206通常封装在TO-220或TO-263等功率封装中，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：200V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：6A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大2.0Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220、TO-263
H997D0206具有多个关键特性，使其适用于高要求的功率应用。首先，其高耐压能力（Vds=200V）使其能够在高压环境下稳定工作，适用于如电源适配器、充电器、电机控制和DC-DC转换器等应用。其次，低导通电阻（Rds(on)）最大为2.0Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，H997D0206具备快速开关特性，减少开关损耗，提高整体性能。该器件还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，同时其封装设计有利于有效的散热管理，确保长期稳定运行。
H997D0206广泛应用于多种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、电池管理系统、光伏逆变器、工业自动化设备以及汽车电子系统。其高耐压、低导通电阻和优异的热性能使其成为需要高可靠性和高效率的电力电子系统中的理想选择。
STP6NK20Z、IRF840、FQP6N20、SiHP06NQ08T
