类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　持续漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤1.2Ω（在Vgs=10V时）
　　功耗（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252等

CS8N90A8具有多项优异的电气和物理特性，适用于高可靠性功率系统设计。首先，其高达900V的漏源击穿电压（Vds）使其适用于高压应用，如AC-DC电源适配器、LED驱动电源等。其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)）在1.2Ω以下，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，CS8N90A8采用了先进的沟槽式工艺，提升了栅极控制能力和开关速度，从而降低开关损耗，适用于高频开关应用。其±30V的栅源电压耐受能力也增强了器件在高噪声环境下的稳定性和抗干扰能力。
　　在热性能方面，CS8N90A8具备良好的散热设计，125W的额定功耗使其在高负载条件下仍能保持较低的工作温度，提升系统可靠性。TO-220和TO-252等常见封装形式也便于PCB布局和安装，适用于多种电源和功率控制电路。

CS8N90A8广泛应用于多种高压功率系统中，如开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、光伏逆变器、工业自动化设备中的负载开关等。其高电压耐受能力和较低的导通电阻使其在AC-DC转换器中表现出色，尤其适用于需要高效率、高稳定性的电源适配器和充电器设计。
　　在LED驱动应用中，CS8N90A8可用于恒流控制电路中的功率开关，确保LED光源的稳定性和长寿命。同时，该器件也可用于DC-DC升压或降压转换器中，作为主开关器件，实现高效的能量转换。
　　由于其优异的热稳定性和抗冲击能力，CS8N90A8也被广泛用于工业控制、智能家电和新能源系统中，作为关键的功率控制元件。

SiHP08N90C, FQP9N90C, STF9N90DM2, IXFH8N90Q