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CS8N80A8H 发布时间 时间:2025/8/1 13:07:52 查看 阅读:20

CS8N80A8H 是一款由华润半导体(华虹)推出的高性能、高可靠性的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽工艺技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力(800V)以及优良的热稳定性和抗雪崩能力。CS8N80A8H 主要用于开关电源、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制以及各类功率管理应用中。该MOSFET采用TO-220封装形式,具备良好的散热性能和电气隔离能力,适用于工业级和消费类电子设备。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):800V
  栅源电压(Vgs):±30V
  漏极电流(Id):8A(Tc=25℃)
  导通电阻(Rds(on)):≤1.2Ω(Vgs=10V时)
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装类型:TO-220
  功率耗散(Pd):50W
  阈值电压(Vgs(th)):2V ~ 4V
  漏源击穿电压(BVDSS):800V
  存储温度范围:-55℃ ~ +150℃

特性

CS8N80A8H 具有出色的电气性能和可靠性,适用于高电压、中等电流的功率转换应用。其主要特性包括:
  ? 低导通电阻(Rds(on)):CS8N80A8H 的导通电阻在Vgs=10V时最大为1.2Ω,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。
  ? 高耐压能力:漏源击穿电压为800V,适用于高输入电压的电源系统,如AC/DC适配器、LED照明驱动器等。
   ? 高电流能力:在标准测试条件下,最大漏极电流可达8A,满足中功率应用的需求。
  ? 优异的热稳定性:采用TO-220封装,具备良好的散热能力,能够在高温环境下稳定工作。
  ? 抗雪崩能力强:具备一定的雪崩能量承受能力,提高了器件在瞬态过电压情况下的可靠性。
  ? 栅极电荷低:栅极电荷(Qg)较小,有利于提高开关速度并减少开关损耗。
  ? 宽工作温度范围:适用于-55℃至+150℃的温度范围,适合工业级环境使用。
  ? 高可靠性设计:通过严格的质量控制流程和可靠性测试,确保器件在长期运行中的稳定性。
  这些特性使得 CS8N80A8H 成为开关电源、DC-DC转换器、LED驱动、电机控制等功率应用中的理想选择。

应用

CS8N80A8H 广泛应用于各种电力电子系统中,特别是在需要高电压、中等电流及高效率的场合。典型应用包括:
  ? 开关电源(SMPS):用于反激式或正激式变换器的主开关器件,提供高效率和良好的热稳定性。
  ? LED驱动电源:适用于恒流或恒压输出的LED照明系统,支持高输入电压的AC/DC转换。
  ? 电机控制电路:用于PWM调速控制中的功率开关,具备良好的导通和关断性能。
  ? DC-DC转换器:适用于升压、降压或升降压变换拓扑,支持高输入电压的系统设计。
  ? 家用电器电源管理:如变频空调、洗衣机、微波炉等家电产品中的电源模块。
  ? 工业自动化设备:如PLC、伺服驱动器、UPS不间断电源等对可靠性要求较高的工业设备。
  其高耐压、低导通电阻和良好的散热性能使其在各类电源管理系统中表现出色。

替代型号

TK8A80,TM8N80A8H,TK8N80A

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