类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：800V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：7A（Tc=25℃）
　　漏极功耗（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220、D2PAK（取决于具体型号后缀）

CS7N80FA9R 的核心特性之一是其高达 800V 的漏源电压耐受能力，使其非常适合用于高电压功率转换系统。该器件采用了先进的平面工艺技术，提供了优异的开关性能和较低的导通损耗，这有助于提高整体系统效率。
　　此外，CS7N80FA9R 的 Rds(on) 典型值为 1.2Ω，在额定电流下能够显著减少功率损耗，降低温升，提升系统可靠性。其高栅极绝缘性能（±30V）增强了抗干扰能力，减少了栅极击穿的风险。
　　该 MOSFET 具有良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间工作。其封装形式包括 TO-220 和 D2PAK，便于散热设计和 PCB 布局，适合工业级应用需求。
　　CS7N80FA9R 还具备快速开关能力，具有较低的上升时间和下降时间，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。其高耐用性和稳定性也使其广泛应用于电源适配器、马达驱动、LED 照明电源、太阳能逆变器等设备中。

CS7N80FA9R 主要应用于高电压功率转换系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 电源模块、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的电源管理模块。由于其高耐压和良好的导通性能，该器件也常用于 LED 驱动电源、电动工具和家电产品中的电机控制电路。此外，它还可用于光伏逆变器、不间断电源（UPS）以及电能质量调节设备等高可靠性场合。

STF8N80M5、FQA7N80、K2543、IRF840、CS7N80F