时间：2025/6/14 12:10:22
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CS7N65A4R是一款高性能的氮化镓（GaN）功率场效应晶体管（MOSFET），专为高频、高效能开关电源应用而设计。该器件采用先进的氮化镓技术，能够提供比传统硅基MOSFET更高的开关频率和更低的导通损耗。
CS7N65A4R具有极低的栅极电荷和输出电荷，使其非常适合硬开关和软开关拓扑结构，如LLC谐振转换器、图腾柱PFC以及DC-DC转换器等应用。其封装形式紧凑，有助于减少整体电路板空间占用，同时提高功率密度。
型号：CS7N65A4R
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（e-mode GaN FET）
漏源电压（Vds）：650V
连续漏极电流（Id）：4A
导通电阻（Rds(on)）：150mΩ（典型值，25℃）
栅极驱动电压（Vgs）：6V（推荐）
栅极电荷（Qg）：25nC（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-252 (DPAK)
CS7N65A4R的主要特性包括：
1. 高开关频率支持，适用于高频应用场景。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），显著降低传导损耗。
3. 栅极电荷和输出电荷较低，进一步提升效率。
4. 具备快速开关速度和短路保护功能。
5. 采用氮化镓材料，具备更高能效及更小尺寸。
6. 耐压能力强，最高耐压达650V，适合高电压应用环境。
7. 封装紧凑，简化PCB布局并节省空间。
CS7N65A4R广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. LLC谐振转换器
3. 图腾柱无桥PFC
4. DC-DC转换器
5. 适配器和充电器
6. 工业电源模块
7. 太阳能逆变器
8. 汽车电子系统中的DC-DC变换
CS7N65A4S, GS66504B
