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CS7N65A3R 发布时间 时间:2025/8/1 22:33:48 查看 阅读:22

CS7N65A3R 是一种MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)功率晶体管,通常用于高电压和高电流的开关应用。该器件具有高耐压能力、低导通电阻以及较高的工作效率,适合广泛应用于电源转换器、电机控制、LED驱动器以及各种工业和消费类电子设备。CS7N65A3R 是一款N沟道增强型MOSFET,具备较高的可靠性和稳定性,能够在较宽的温度范围内正常工作。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):650V
  漏极电流(Id):7A(连续)
  导通电阻(Rds(on)):1.2Ω(最大)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V~4V
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:TO-220、DIP或其他工业标准封装
  功率耗散(Pd):50W(最大)

特性

CS7N65A3R MOSFET 具备一系列优异的电气和热性能。其高耐压能力(650V)使其适用于高电压应用,如开关电源(SMPS)和LED照明系统。该器件的低导通电阻(Rds(on))确保在导通状态下功耗较低,从而提高整体系统效率并减少散热需求。此外,CS7N65A3R 在高温环境下仍能保持稳定性能,具有良好的热稳定性,适用于各种严苛的工作环境。
  该MOSFET的栅极驱动要求较低,可在2V至4V之间实现导通,使得其易于与各种控制电路(如微控制器或PWM控制器)配合使用。同时,其高电流承载能力(7A连续漏极电流)支持在高负载条件下可靠运行,适用于电机驱动、DC-DC转换器等应用场景。
  CS7N65A3R 的封装设计考虑了散热和机械强度,通常采用TO-220或DIP封装,便于安装和散热管理。这种封装形式也有助于在PCB布局中实现良好的热管理和电气隔离。

应用

CS7N65A3R MOSFET 广泛应用于多种电力电子系统中,尤其是在需要高效开关和高电压处理能力的场合。典型应用包括开关电源(SMPS)、LED驱动电源、电机控制器、DC-DC转换器、逆变器、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备中的功率开关模块。
  在LED照明应用中,CS7N65A3R 可用于恒流驱动电路,实现高效率和长寿命的照明系统。在电机控制应用中,该MOSFET可用于H桥电路或PWM调速系统,提供稳定的功率输出和高效的能量转换。此外,在电源适配器、充电器和不间断电源(UPS)等设备中,CS7N65A3R 也常用于主开关或同步整流电路。
  由于其良好的热性能和电气特性,CS7N65A3R 也被广泛用于消费类电子产品和工业控制系统中,作为关键的功率开关元件。

替代型号

FQA7N65C
  STF7NM65N
  IRF7N65F
  SiHP07N65SH

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