CED05N8 时间：2025/12/28 12:41:05 阅读：15

CED05N8是一款由华润微电子推出的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电路以及电机驱动等高效率、高可靠性要求的场合。该器件采用先进的沟槽型场效应技术，优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在低电压和中等电流的应用中表现出优异的性能。CED05N8的设计重点在于提高能效并降低系统功耗，适用于需要紧凑封装和高效散热解决方案的现代电子产品。其主要特点包括低阈值电压、快速开关响应以及较强的抗雪崩能力，能够在恶劣工作环境下保持稳定运行。此外，该器件符合RoHS环保标准，适合无铅焊接工艺，满足工业级产品对环境友好性的需求。
　　这款MOSFET通常被用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、LED驱动电源以及各类消费类电子设备中的电源模块。由于其具备良好的热稳定性和电气特性，也常出现在汽车电子辅助系统和工业控制领域。封装形式多为DFN3x3或SOT-23等小型化表面贴装类型，便于在高密度PCB布局中使用，并可通过焊盘设计实现高效的热传导。

参数

型号：CED05N8
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：80V
　　最大连续漏极电流(ID)：5A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：20A
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：≤45mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on))：≤60mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：约600pF @ VDS=25V
　　输出电容(Coss)：约150pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间(trr)：约25ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DFN3x3/ SOT-23（具体以数据手册为准）

特性

CED05N8采用先进的沟槽式MOSFET制造工艺，这种结构能够显著降低单位面积下的导通电阻，从而提升整体能效。其RDS(on)在VGS=10V时可低至45mΩ，在同类80V N沟道器件中处于领先水平，这意味着在相同工作条件下产生的导通损耗更小，有助于减少发热并提高系统效率。同时，该器件在较低的栅极驱动电压下（如4.5V）仍能维持良好的导通状态，使其兼容3.3V或5V逻辑电平控制电路，适用于由微控制器直接驱动的应用场景。
　　该MOSFET具有优异的开关特性，输入电容和反馈电容经过优化，使得在高频开关应用中（如开关电源和同步整流）能够有效降低驱动损耗和电磁干扰。其较短的反向恢复时间（trr）减少了体二极管在感性负载关断过程中的能量损耗，提升了系统的动态响应能力和可靠性。此外，器件具备较强的雪崩能量承受能力，可在意外过压或瞬态冲击条件下保护自身及外围电路，增强整个系统的鲁棒性。
　　热性能方面，CED05N8所采用的DFN或SOT封装具有低热阻特性，配合合理的PCB布局（如大面积铜箔散热），可实现高效的热量散发。这使得即使在较高环境温度下长时间运行，也能保持稳定的电气性能。器件还通过了多项国际可靠性测试认证，确保在工业级甚至部分汽车级应用场景中长期可靠运行。

应用

CED05N8因其优良的电气性能和紧凑的封装特性，广泛应用于多种电源与功率控制场景。在便携式电子设备中，它常被用作电池供电系统的主开关或负载隔离开关，实现低功耗待机与快速唤醒功能。在DC-DC降压或升压变换器中，该器件可作为上桥或下桥开关元件，尤其适用于中等功率级别的同步整流拓扑，帮助提升转换效率并减小整体体积。
　　在工业自动化设备中，CED05N8可用于驱动继电器、电磁阀或小型直流电机，凭借其快速响应和低导通损耗优势，提高了执行机构的响应速度与能效表现。同时，该器件也被集成于LED照明驱动电源中，作为恒流调节或调光控制的关键组件，保障灯光输出的稳定性与寿命。
　　此外，在电动工具、无人机电源管理系统、智能家居控制板以及车载辅助电源模块等领域，CED05N8同样发挥着重要作用。其宽泛的工作温度范围和较强的抗干扰能力，使其能在复杂电磁环境和温度变化剧烈的条件下稳定工作。对于追求小型化、高集成度和高可靠性的现代电子产品而言，CED05N8是一个极具性价比的功率开关选择。