时间：2025/8/1 21:11:30
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CS7N65 A4TDY 是一种高压、高电流能力的N沟道增强型功率MOSFET，适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。这款MOSFET由华润微电子生产，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器和各种工业设备中。CS7N65 A4TDY采用TO-252封装，具备良好的热性能和电气性能，能够在高频率下工作，适合开关速度快的场景。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：7A
最大功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
导通电阻(Rds(on))：约1.5Ω（典型值）
封装形式：TO-252
CS7N65 A4TDY具备多项优异特性，使其在功率MOSFET领域中表现出色。首先，其高击穿电压能力（650V）确保了在高压应用中的稳定性，避免了由于电压波动导致的器件损坏。其次，该器件的导通电阻较低，典型值约为1.5Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，CS7N65 A4TDY支持较高的栅极驱动电压（±20V），能够实现更快的开关速度，减少开关损耗，提高整体能效。
该MOSFET采用了先进的平面工艺技术，确保了优异的热稳定性和长期可靠性。其TO-252封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于在PCB上安装和焊接。CS7N65 A4TDY的工作温度范围较宽，从-55°C到+150°C，适合在各种恶劣环境下使用，如工业控制、汽车电子和电源适配器等。
CS7N65 A4TDY广泛应用于多种功率电子系统中，尤其是在需要高压和高电流能力的场合。常见的应用包括AC-DC电源转换器、DC-DC降压/升压转换器、马达驱动器、电池管理系统、工业自动化设备以及LED照明驱动电源。此外，由于其良好的热性能和可靠性，CS7N65 A4TDY也常用于新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中的功率控制模块。
SIHF6N65D, FQP7N65C, IRF840, STF7NM65N
