工作电压范围：5.5V 至 20V
　　高压侧栅极驱动电压范围：最高 20V
　　低压侧栅极驱动电压范围：最高 20V
　　最大工作频率：1MHz
　　峰值驱动电流：1.5A（典型值）
　　传播延迟：典型 100ns
　　上升/下降时间：典型 30ns / 25ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：TSSOP-24

MP6520GVZ 具备多项高性能特性，首先其双通道设计支持独立的高边和低边驱动，能够实现半桥结构的高效控制。该芯片的宽工作电压范围使其适用于多种电压等级的功率器件驱动，灵活性强。
　　内置的欠压锁定（UVLO）功能可确保在电源电压不足时自动关闭驱动输出，防止 MOSFET 发生非预期的导通或损坏。此外，MP6520GVZ 还具备较强的抗干扰能力，能够有效抑制高频噪声对驱动信号的影响，确保系统的稳定性。
　　该芯片采用紧凑的 TSSOP-24 封装形式，节省空间的同时也便于 PCB 布局和散热设计。MP6520GVZ 的高集成度设计减少了外部元件的使用，有助于提高系统的可靠性并降低设计复杂度。
　　在热管理方面，MP6520GVZ 具备良好的热稳定性，能够在较高的环境温度下正常工作，适合工业级应用场合。

MP6520GVZ 主要用于需要高效、紧凑型栅极驱动方案的电力电子系统中。常见的应用包括无刷直流电机驱动、H 桥逆变器、同步整流 DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）中的功率开关控制、以及太阳能逆变器等可再生能源系统。
　　此外，MP6520GVZ 也适用于电动工具、无人机、工业自动化设备和电动汽车中的功率控制模块。由于其高耐压能力和出色的抗噪性能，该芯片特别适合在电磁干扰较大的环境中使用，如工业变频器和电机驱动器中。
　　该器件也可用于需要高速开关的功率变换器中，如 LLC 谐振变换器和 ZVS 移相全桥变换器等拓扑结构中，作为主开关的驱动器。

Si8235BB-D-ISR, IRS2004SPBF, TC4420CPA